Выходная характеристика - транзистор
Cтраница 2
 |
Схема включения транзистора с общим эмиттером ( а и его входные ( б и выходные ( в характеристики. [16] |
Выходными характеристиками транзистора в схеме с ОЭ является семейство / к. Они отличаются от выходных характеристик того же транзистора, включенного по схеме с ОБ. С / кэ более резкая, вследствие чего пологие участки этого семейства характеристик имеют больший наклон к оси абсцисс. [17]
 |
Выходное характеристики транзистора МП41 для схемы с ОБ. [18] |
Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с ОБ, называют зависимость тока коллектора / к от напряжения. [19]
Сравнивая выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( рис. 4.14 6) и общей базой ( рис. 4.12 6), можно заметить две наиболее существенные особенности: во-первых, характеристики в схеме с общим эмиттером имеют больший наклон, свидетельствующий об уменьшении выходного сопротивления транзистора и, во-вторых, переход в режим насыщения наблюдается при отрицательных напряжениях на коллекторе. [20]
Рассмотрим далее входные, передаточные и выходные характеристики транзисторов в области микротоков. Анализ и обобщение параметров микрорежима интересны потому, что создание высоконадежных устройств с незначительным потреблением относится к актуальным и перспективным направлениям в электронике. [21]
Семейство выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ ( рис. 3.15 6) состоит из зависимостей / к / ( КБ) при / 3 const. Графики коллекторного тока / к аналогичны ВАХ диода, смещенным по оси обратного тока. По установившейся традиции третий квадрант показан на рис. 3.15 6 повернутым на место первого. [22]
Расчет выходной характеристики транзистора [ JL 86 ] при заданных значениях температуры среды и тока базы сводится к определнию координат двух точек по типовой методике, разработанной для резисторов типа тер-мистор - варистор. [23]
 |
Совмещенные характеристики транзистора в схеме ОБ ( 2-система. [24] |
Семейство выходных характеристик транзистора представлено в первом квадранте рис. 11.17. Они проходят почти горизонтально из-за весьма слабого изменения градиента концентрации при изменении напряжения к. Если ta const, то F-изменении градиент Гп ( хр) сохраняется неизменным. [25]
 |
Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [26] |
Семейство выходных характеристик транзистора показано при некоторых постоянных значениях эмиттерного тока. [27]
 |
Входные характеристики триодов. а - в схеме с ОБ, б - в схеме с ОЭ.| Выходные характеристики триодов. а - в схеме с ОБ б - в схеме с ОЭ. [28] |
Особенностью выходных характеристик транзистора является слабая зависимость тока коллектора от напряжения коллекторной цепи. В этим смысле транзистор аналогичен пентоду. [29]
По выходным характеристикам транзистора определяем рабочую область. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5