Выходная характеристика - транзистор
Cтраница 4
Какую зависимость выражает выходная характеристика транзистора по схеме с общим эмиттером. [46]
Пунктирными линиями изображены выходные характеристики транзисторов при повышении температуры, из которых видно, что если ток покоя базы изменяется с / Б0 до / Б, то соответственно рабочая точка перемещается из О в О, в результате чего коллекторный ток покоя становится равным / KQ. [47]
Таким образом, выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером при / Bconst отличаются сильной зависимостью от температуры, с чем необходимо считаться при использовании транзисторов в аппаратуре. В связи с этим для температурной стебпл гзацпн рабочего рел т ма транзистора рекомендуют ра-ботг. [48]
Пунктирными линиями изображены выходные характеристики транзисторов при повышении температуры, из которых видно, что если ток покоя базы изменяется с / бо до / бо, то соответственно рабочая точка перемещается из 0 в 0, в результате чего коллекторный ток покоя становится равным 7 ко. [49]
Заметим, что выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером аналогичны характеристикам пентода. [50]
Используя рабочий участок выходной характеристики транзистора, на котором зависимость тока / к от коллекторного напряжения Цк незначительна, и включая этот транзистор в цепь зарядки конденсатора Ct последовательно с конденсатором С2, можно получить режим источника тока по отношению к конденсатору Сх. В исходном состоянии Т2 открыт и насыщен за счет соответствующего выбора значения ЯБ. Точки а и б имеют почти одинаковый потенциал, а напряжение на С практически равно нулю. [51]
По сравнению с выходными характеристиками транзистора в схеме с ОБ они имеют гораздо больший неодинаковый наклон и заметно сгущаются при больших токах. Это объясняется тем, что в схеме с общим эмиттером сильнее сказывается эффект лавинного умножения носителей в коллекторном переходе. Электроны, возникающие в результате умножения, попадая в базу, смещают эмиттерный переход в прямом направлении. [52]
На рис. 60 даны выходные характеристики транзистора П25А в схеме с общим эмиттером. [53]
На рис. 63 даны выходные характеристики транзистора П5А в схеме с общей базой. [54]
Рассмотрим влияние температуры на выходные характеристики транзистора. При повышении температуры гк возрастает на величину At K aAi3 AtKo, поэтому выходные характеристики сдвигаются вверх на величину Дгк. [55]
 |
Выходные характеристики вертых, характеристики не дохо-германиевого транзистора в схе - дят до оси ординат. [56] |
На рис. 5.17 показаны выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. [57]
 |
Схема температурной стабилизации с параллельной отрицательной обратной связью.| Схема температурной стабилизации с параллельно-последовательной обратной связью. [58] |
Если с повышением температуры выходные характеристики транзистора перемещаются вверх ( см. рис. 6.34), то при этом увеличивается ток коллектора и уменьшается напряжение на коллекторе, а следовательно, происходит уменьшение тока / б, которое приведет к стабилизации рабочей точки. [59]
На рис. 8.6 изображены выходные характеристики транзистора типа р-п - р в схеме с общей базой. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5