Выходная характеристика - транзистор
Cтраница 3
По выходным характеристикам транзистора находим ток базы в режиме покоя ( / во) и максимальное значение тока базы / Б ш а ( фиг. [31]
На выходных характеристиках транзистора определяют рабочую область. Рабочую точку А выбирают так, чтобы в режиме покоя ток коллектора был минимальным. [32]
На выходных характеристиках транзистора этому условию соответствует ток базы / о. [33]
Пользуясь семейством выходных характеристик транзистора, взятым из справочника, определить сопротивление резистора нагрузки в цепи коллектора и падение напряжения на нем. [34]
Характерной особенностью выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ является слабая зависимость тока коллектора / к от напряжения UK. Это обусловлено весьма слабым влиянием напряжения коллектора на движение инжектированных носителей к коллекторному переходу. Выходные характеристики имеют очень слабый наклон, который резко, увеличивается лишь в области, близкой к пробою. При большом напряжении на коллекторе может наступить пробой перехода. [35]
 |
Статические характеристики для схемы с общим эмиттером. а - выходные. б - входные. [36] |
Пользуясь семейством выходных характеристик транзистора ( см. рис. 9.2, а), нетрудно определить значение коэффициента усиления по току. Этому режиму в семействе выходных характеристик транзистора соответствует точка А. [37]
На семействе выходных характеристик транзистора ( рис. 5.21) отмечены границы допустимых режимов, определяющие максимально допустимую выходную мощность транзистора. [38]
 |
Зависимость / г-параметров. [39] |
Сильная зависимость выходных характеристик транзистора от температуры является их существенным недостатком. Для уменьшения влияния температуры на режим работы транзисторов применяют схемы термостабилизации и термокомпенсации. [40]
Начальный участок выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ, где / к0, пока не имеет практического значения и поэтому в справочниках не приводится. [41]
Начальный участок выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ, где / 0, не имеет практического значения и поэтому в справочниках не приводится. [42]
 |
К определению режима транзистора по заданным величинам сопротивлений схемы. [43] |
Теперь воспользуемся выходными характеристиками транзистора, показанными на рис. 5.27. Найденная расчетным путем рабочая точка должна лежать на прямой, соединяющей точку исе Ес на оси абсцисс и точку ic Ec / ( Rc RE) на оси ординат. [44]
 |
Схема исследования транзистора с общим эмиттером. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5