Вольт-фарадная характеристика

Cтраница 1

Распределение концентраций акцепторов Р и доноров N в р-п переходе с обратным градиентом концентрации примесей ( d - толщина обедненного слоя.| Вольт-кулоновая характеристика барьерной емкости перехода.| Зависимость емкости р-п перехода от обратного напряжения.| Кривые 2 - 23, представленные в логарифмическом масштабе. [1]

Вольт-фарадная характеристика ( рис. 2 - 23) выражает зависимость емкости варикапа для малого переменного напряжения от постоянного ( обратного) напряжения. [2]

Вольт-фарадные характеристики элементов, не подвергавшихся термообработке, представленные в виде зависимости С-2 от У, обычно имеют форму прямых линий, что свидетельствует о наличии резкого гетероперехода. [3]

Анализ вольт-фарадных характеристик позволяет получить существенно более полную информацию об энергетических уровнях, плотности и сечениях захвата состояний на границе раздела, определяемых обычно из результатов оптических и температурных измерений. Экстраполяция кривой, характеризующей зависимость С-2 от К к С 2 - 0, позволяет определить диффузионный потенциал, который изменяется под влиянием сосредоточенного на границе раздела заряда плотностью Oss и напряжения на переходе Ф, обусловленного диполями. [4]

Зависимость нормированной минимальной емюсти МДП-структуры от удельной емкости и толщины диэлектрика. [5]

Измерение вольт-фарадных характеристик МДП-структур и сравнение их с теоретически рассчитанными позволяют получить сведения о параметрах приповерхностных слоев полупроводника, свойствах границы раздела диэлектрик - полупроводник и самого диэлектрика. [6]

Рассмотрим вольт-фарадную характеристику pn - перехода при обратном смещении. Величина емкости pn - перехода меняется от напряжения смещения аналогично контакту Шоттки. [7]

Энергетическая диаграмма структуры AI - Si02 - Si. a - перед взаимным контактированием, б - в состоянии теплового равновесия. Цифры даны в эВ. Параметры Si. р-тип, Лга 2 - 1015 см-3. [8]

При этом вольт-фарадная характеристика возвращается к своему обычному состоянию на высокой частоте. Этот режим отражен на рисунке штрихпунктирной линией. [9]

Блок-схема автоматического измерителя вольт-фарадных характеристик.| Эквивалентная схема импеданса солнечного элемента. [10]

При выполнении измерений вольт-фарадных характеристик частота сигнала должна принимать значения, при которых влияние протекающего тока на осцилляции заряда в области перехода максимально. Для некоторых типов солнечных элементов, которые содержат глубокие энергетические уровни ловушек, например элементов на основе Cii2S - CdS, частоту сигнала следует, наоборот, выбирать таким образом, чтобы не происходило возбуждения этих ловушек. В процессе измерений к солнечному элементу может быть приложено обратное или прямое напряжение смещения. Однако в режиме прямого смещения приложенное напряжение не должно превышать примерно 200 мВ, в противном случае проводимость элемента значительно возрастает. Дальнейшая обработка вольт-фарадных характеристик требует внесения в измеренные значения емкости поправки, связанной с влиянием проводимости. [11]

Согласно результатам измерений вольт-фарадных характеристик, диффузионный потенциал равен 0 75 В. Полагают, что его значение должно увеличиться при повышении уровня легирования. Однако легирование пленок CdSe кадмием приводит к сужению области пространственного заряда и, следовательно, уменьшению коэффициента собирания носителей. При осуществлении диффузии селена для компенсации в поверхностном слое донорных уровней, связанных с присутствием кадмия, напряжение холостого хода повышается до 0 7 В. [12]

Согласно результатам измерений вольт-фарадных характеристик, концентрация легирующей примеси в р - InP равна 8 3 - 1016 см-3. Просветляющее покрытие из SiO получают посредством вакуумного испарения вещества при температуре подложки около 100 С. Контакт к пленке CdS осуществляется с помощью индия, наносимого из расплава. [13]

Емкость МДП-структуры на основе кремния р-типа в зависимости от напряжения на металлическом электроде. Результатам, полученным с учетом поверхностных состояний на границе раздела, соответствуют сплошные линии, без учета - точечные. Кривые с минимумами - результаты низкочастотных измерений. При высокочастотных измерениях определяется емкость только обедненного слоя, так как число электронов в инверсионном слое не может изменяться достаточно быстро, чтобы реагировать на быстро меняющееся напряжение. Толщина слоя окисла Одиэл 50 нм, площадь конденсатора равна 5 2 10 - 3см - 2. ( [ IMAGE ] выполнен S. Lai. [14]

На рис. 4 приведена вольт-фарадная характеристика МДП-структуры на основе кремния р-типа. На рисунке выделены три режима, соответствующие сильному обогащению и сильному обеднению поверхности полупроводника, а также случаю плоских зон. Как при сильной инверсии, так и при сильном обогащении образуются очень тонкие слои пространственного заряда, емкость которых обычно намного превышает емкость слоя диэлектрика, которой можно или пренебречь, или рассматривать как малую поправку. Следовательно, в этих двух предельных случаях измеряемая емкость приближенно равна емкости слоя диэлектрика. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5