Вольт-фарадная характеристика
Cтраница 5
Длп возможности отключения АПЧГ при переключении телевизионных каналов, что необходимо для устранения ложных захватов, коллекторная цепь транзистора Т7 в СВП-4-1 ( см. рис. 3.2) соединена с модулем АПЧГ ( см. § 9.6) через контакты 3 и 5 соединителей Ш - П2 и Х7 ( Ai) на плате согласования. Однако при исчезновении сигнала на входе телевизора ( выключение антенны для проверки телевизора, выключение передатчика), когда радиоканал и модуль ЛПЧГ остаются включенными, появление помехи может вызвать значительное отклонение частоты гетеродина и ложный захват. Это явление усугубляется нелинейностью вольт-фарадных характеристик варикапов ( рис. 4.9), из-за чего изменение управляющего напряжения на одно и то же значение неодинаково сказывается на настройке гетеродина в разных участках частотного диапазона. Как видно из рис. 4.9, б, изменение напряжения, поступающего на варикап, на 2 В изменяет частоту гетеродина в зоне размещения I и II каналов на 12 МГц. Напряжение 2 В, но уже на участке V телевизионного канала изменяют частоту настройки гетеродина на 6 МГц, а на каналах ДМВ ( рис. 4.9, в) - на 35 - 40 МГц. Для устранения этого явления необходимо уменьшить мгновенные отклонения напряжения, поступающего от АПЧГ под влиянием помех, до минимально возможных значений. [61]
Гандхи и др. ( 12, 14 ] установили, что солнечные элементы с барьером Шоттки имеют по существу аналогичные характеристики. Значения их диодного коэффициента равны 2 7 и 1 3 соответственно при низких и высоких прямых напряжениях смещения. Концентрация носителей, определенная с помощью вольт-фарадных характеристик ( при обратном напряжении смещения), составляет 6 - Ю16 см-3. Особенности темновых вольт-амперных характеристик можно объяснить, предположив, что протекание тока обусловлено рекомбинацией носителей заряда на границах зерен. Однако, поскольку в процессе осаждения пленки в область границ зерен внедряется большое количество примеси, их влияние на процесс собирания носителей оказывается несущественным. Эффект шунтирования перехода границами зерен, приводящий к увеличению обратного тока насыщения, ослабляется благодаря их пассивации посредством избирательного анодирования. Авторами работ ( 12, 14 ] отмечено существование зависимости фототока от напряжения смещения, что может быть вызвано рекомбинацией носителей на энергетических состояниях в области границы раздела металла и полупроводника. [62]
Развитие инжещионных методов исследований и контроля осуществляется в трех основных направлениях. Первое - повышается их информативность с целью получения новых данных, которые не могут быть получены с использованием других методов исследования. Второе - развивается совместное использование инжекционных методов исследования с такими традиционными методами, как вольт-фарадные характеристики ( ВФХ), зарядовые накачки, токи термостимулированной деполяризации ( ТСД) и другие. [63]
На рис. 5.5, б показаны зависимости эффективной диффузионной длины неосновных носителей заряда от размера зерен при различных напряжениях смещения для двух значений разности потенциалов на границах зерен. By и др. [38] изготовили солнечные элементы с барьером Шоттки на основе алюминия и поликристаллического кремния и установили, что малоугловые границы зерен почти не влияют на вольт-амперные характеристики. При наличии большеугловых границ зерен, на которых сосредоточены центры рекомбинации и ловушки, вольт-амперные и низкочастотные вольт-фарадные характеристики элементов существенно изменяются вследствие увеличения рекомбинацион-ного тока и снижения эффективной подвижности носителей заряда. [65]
Nn ( x) не соответствует ни N ( x), ни п ( х) и поправка с учетом (5.41) будет лишь приближенной. Случай, когда вычисление N ( х) по зависимости C ( U) затруднительно, часто реализуется применительно к ионно-внедрен-ным слоям. Тем не менее для нахождения N ( x) по зависимости C ( U) пользуются численным решением обратной задачи, когда распределение примеси подгоняется под экспериментально измеренную вольт-фарадную характеристику. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5