Вольт-фарадная характеристика

Cтраница 4

На рис. 2 - 22, б, в показаны временные диаграммы управляющего напряжения на варикапе и изменения барьерной емкости р-п перехода; Ucu является напряжением смещения, которое определяет исходное положение точки покоя Я на вольт-фарадной характеристике. [46]

Зависимость барьерной емкости от напряжения смешения ( а, временные диаграммы управляющего напряжения и изменения барьерной емкости ( б, в, эквивалентная схема варикапа ( г, зависимость добротности варикапа от частоты ( д, условное ( графическое изображение варикапа ( е. [47]

На рис. 2 - 22, б, в показаны временные диаграммы управляющего напряжения на варикапе и изменения барьерной емкости р-п перехода; t / CM является напряжением смещения, которое определяет исходное положение точки покоя П на вольт-фарадной характеристике. [48]

Для определения зависимости C ( U) используют также высокочастотные измерительные мосты, позволяющие измерять не только емкость, но и проводимость структуры. Если одновременно с измерением высокочастотной вольт-фарадной характеристики структуры необходимо измерить ее низкочастотную характеристику, то обычно применяют квазистатический метод. В этом случае на последовательно соединенные МДП-структуру и резистор подается линейно возрастающее во времени ( пилообразное) напряжение. Сила тока в этой последовательной цепи пропорциональна емкости структуры, а напряжение на резисторе пропорционально току. Напряжение на резисторе усиливается электрометрическим усилителем и регистрируется двухкоординационным самописцем. [49]

Ua - f Uи Uпоп - Девиация частоты и уровень нелинейных искажений определяются нелинейностью характеристики барьерной емкости варикапа и влиянием емкости варикапа на резонансную частоту контура автогенератора. Варикапы с более высокой крутизной вольт-фарадной характеристики позволяют при прочих равных условиях изменять рабочую частоту автогенератора в больших пределах при меньшем уровне нелинейных искажений. [50]

Однако значение минимальной высокочастотной емкости структуры остается неизменным. На рис. 5.4 показано, как изменяются вольт-фарадные характеристики МДП-структуры в этих случаях. [51]

Диодный коэффициент, найденный из вольт-амперных характеристик, оказывается величиной более двух. Значения диффузионного потенциала VD, определяемые по результатам измерений вольт-фарадных характеристик, с достаточной степенью точности совпадают с расчетными значениями VD для модели элемента со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. У элементов со слоем Ct O толщиной 161 и 37 мкм коэффициент собирания носителей при длине волны А 0 65 мкм равен 0 25 и 0 65 соответственно. [52]

На рис. 1.7, а показана блок-схема установки для проведения измерений по данному методу. Синхронный усилитель периодически, в режиме импульсного напряжения смещения, включает измеритель вольт-фарадных характеристик. Если в обедненной области образца, содержащего р - n - переход или барьер Шоттки, имеются глубокие примесные уровни, то при помощи синхронного усилителя обнаруживается переходный процесс, характеризующийся экспоненциальным изменением емкости. Амплитуда измеряемого сигнала пропорциональна концентрации примесей на глубоких уровнях, а постоянная времени переходного процесса зависит от вероятности опустошения ловушек в результате термоэмиссии. На рис. 1.7 6 схематически изображены синхронизирующий сигнал и сигнал, поступающий на вход синхронного усилителя. Измерения проводятся на фиксированной частоте при температуре образца, изменяющейся от температуры жидкого азота ( 77 К) до комнатной и выше. При определенной температуре, когда скорость опустошения ловушек соответствующим образом согласуется с частотой измерений, амплитуда сигнала достигает максимального значения, которое пропорционально плотности ловушек. Таким образом, измерение температурной зависимости сигнала позволяет идентифицировать ловушки, обусловливающие переходный процесс. [53]

Зависимость значений неравно весной - - - - - ( - кривой в максимуме. [54]

Для выделения в чистом виде эффектов, связанных с неоднородностью поверхностного заряда, в работе [36] было предварительно проведено экспериментальное обоснование предположения о том, что в исследованных образцах отсутствуют существенные градиенты легирующей примеси в приповерхностной ОПЗ. Из рис. 7.6 видно, что форма измеренных и рассчитанных с учетом гетерогенности неравновесных вольт-фарадных характеристик качественно одинакова. Некоторое отличие при слабых истощающих изгибах зон обусловлено, по-видимому, приближенностью одномерной модели, наличием макронеоднородных участков, не учитываемых в распределении Гаусса, а также перезарядкой мелких ПЭС. [55]

Зависимости емка ной энергии NESA / PcMg / Al ния. [56]

Вольт-фарадная характеристика ( зависимость 1 / С2 от V) представляет собой две пересекающиеся кривые. [57]

Легирование приводит к уменьшению ширины обедненного слоя, снижению удельного сопротивления CdS и незначительному повышению спектральной чувствительности элементов. Аналогичные результаты получены Луке и др. [107] при исследовании солнечных элементов на основе Cu2S - CdS со слоем легированного сульфида кадмия. Проведенные авторами измерения вольт-фарадных характеристик этих элементов показали, что по сравнению с нелегированными элементами ширина области пространственного заряда уменьшилась в 4 раза, концентрация доноров у границы раздела возросла в 16 раз, а концентрация доноров в объеме GdS повысилась в 50 раз. Отношение обратных токов насыщения легированны и нелегированных элементов приблизительно равно отношению соответствующих значений электрической проводимости слоев. Авторами обнаружено существование зависимости напряжения холостого хода Voc и спектральной чувствительности от уровня легирования. Изменения КПД и Voc элементов при вариациях концентрации примесей объясняются различиями в значениях последовательного и шунтирующего сопротивлений, а также обратного тока насыщения. [58]

Оба коэффициента взаимосвязаны, так как при большой нелинейности вольт-фарадной характеристики интервал изменения емкости СВ1 - СВ2 может быть перекрыт при меньших изменениях обратного напряжения. Так, например, в варикапах со сплавным переходом коэффициент Ко достигает 10 при изменении обратного напряжения от нуля до нескольких десятков вольт. В варикапах с резкой вольт-фарадной характеристикой изменение напряжения в интервале от нуля до - 10 В обеспечивает величину Кс ЮО. [59]

Принципиальная схема БУ телевизоров УПИМЦТ-01-С-2 и УПИМЦТ-G7-C-1. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5