Вольт-фарадная характеристика

Cтраница 2

При интерпретации результатов измерений вольт-фарадных характеристик необходимо учитывать зависимость измеряемых значений емкости от формы перехода. Коэффициент увеличения площади перехода уменьшается при повышении обратного напряжения смещения вследствие сглаживания области объемного заряда. К аналогичному эффекту приводит и продолжительная термообработка [15, 20], в процессе которой увеличивается толщина компенсированного слоя CdS. При больших значениях коэффициента увеличения площади перехода угол наклона зависимости С-2 от V увеличивается, и после термообработки элементов данная зависимость смещается в сторону высоких значений величины С-2 в большей степени, чем в случае планарного перехода. Следовательно, значение концентрации легирующей примеси, найденное по результатам емкостных измерений, оказывается заниженным, а коэффициент диффузии меди - завышенным по сравнению с их действительными значениями. Отклонение профиля распределения пространственного заряда от прямоугольного также приводит к изменению зависимости С-2 от V [15], Пфистерер [15] подчеркивает, что определение концентрации легирующей примеси, исходя из зависимости С-2 от V, оказывается невозможным в двух случаях: при сложной форме перехода и непрямоугольном профиле распределения пространственного заряда. [16]

Зависимость емкости от напряжения называется вольт-фарадной характеристикой. [17]

Сопряжение контуров во всем диапазоне обеспечивается идентичностью вольт-фарадных характеристик всех трех варикапов, на которые через резисторы R14, R20 и. [18]

Миграция ионов щелочных металлов приводит к нестабильности вольт-фарадных характеристик МДП-структур в электрических полях. Эта нестабильность особенно заметна при повышенных температурах. Ионы щелочных металлов адсорбируются поверхностью из различных химических реактивов. При концентрации примесей в реактивах порядка 10 - 5 - 10 - 10 % на поверхности полупроводника осаждается до 10 - 1015 см-2. Уменьшение концентрации примесей на поверхности полупроводника от 1013 см-2 до величины, меньшей 10 см-2, уменьшает эффективный заряд на поверхности в 2 - 2 5 раза. [19]

В работе [456] предложен квазистатический метод получения низкочастотных вольт-фарадных характеристик МДП структур. В отличие от метода Берглунда квазистатический метод не требует применения ультранизкочастотных усилителей и генераторов, а С ( V) - кривые, соответствующие стационарному заполнению ПЭС, получаются в результате приложения к полевому электроду медленно изменяющегося во времени пилообразного напряжения. [20]

Вольт-фарадная характеристика МОП-диода р-типа. Сох - емкость окисного слоя, Cfb - емкость плоских зон, фэ, фв - обозначения согласно, а. [21]

Рассмотренные выше физические процессы можно проследить по вольт-фарадной характеристике МОП-диода, изображенной на рис. 3.21. Для МОП-структуры с подложкой п-типа полярность приложенного напряжения обратная. Частота перехода от высокочастотной ( сплошная линия на рисунке) к низкочастотной ( пунктирная линия) емкостной характеристике определяется скоростью отклика неосновных носителей, о которой было сказано выше. Обычно она лежит в диапазоне от единиц до десятков герц. В этом случае емкость структуры продолжает уменьшаться подобно обратно смещенному pn - переходу. [22]

Для того чтобы выделить значение CQNB, измерения вольт-фарадных характеристик проводят как на относительно высоких, так и низких частотах. Сигнал низкой частоты воздействует на подвижные носители во всех областях элемента, в то время как сигнал более высокой частоты не оказывает влияния на неосновные носители базовой области, вследствие чего вклад CQNB в полную емкость прибора пренебрежимо мал. Подвижные же носители, связанные с С / и Csc, реагируя на высокочастотный сигнал, дают вклад в измеряемую емкость. Таким образом, емкость, характерная для квазинейтральных областей, равна разности значений емкости, измеренных на низкой и высокой частоте. Вычислив величину CQNB с помощью уравнения (1.10), можно определить величину Lp. Требование, ограничивающее применимость рассмотренного метода, состоит в том, что емкость нейтральной базовой области должна составлять значительную долю измеряемой общей емкости прибора, поэтому данный метод не может использоваться для исследования приборов с малой диффузионной длиной носителей заряда. [23]

Принципиальная схема СК-Д-22. ( В скобках показаны напряжения при питании от источника 10 В. [24]

Сопряжение контуров во всем диапазоне частот обеспечивается идентичностью вольт-фарадных характеристик всех варикапов. Сдвиг частот между контуром гетеродина и контуром полосового фильтра, равный ПЧ, достигается соответствующими конструкцией, длиной линий и выбором емкостей конденсаторов. [25]

Сопряжение контуров полосового фильтра и гетеродина достигается подбором вольт-фарадных характеристик варикапов Д2 - Д4 и соответствующей конструкцией элементов контуров. Печатная плата с монтажом устанавливается в металлическую рамку и закрепляется металлическими крышками. [26]

Принципиальная схема селектора каналов СК-Д-24. [27]

Сопряжение контуров полосового фильтра и гетеродина достигается подбором вольт-фарадных характеристик варикапов VD2 - VI. [28]

Различные распределения примесей, обеспечивающие одинаковые вольт-фарадные характеристики р-п-переходов. [29]

Для удобства экстраполяции необходимо выбрать координаты, в которых вольт-фарадная характеристика исследуемого перехода соответствует прямой линии. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5