Входная характеристика - транзистор
Cтраница 1
 |
Входные ( а и выходные ( б статические характеристики транзистора с ОБ, 104. [1] |
Входные характеристики транзисторов в схеме с ОЭ ( рис. 6.8, а) представляют собой зависимость 1ъ f ( 11эъ) при фиксированных значениях ( / кэ. Их вид аналогичен виду входных характеристик для схемы с ОБ ( рис. 6.7, а), но в схеме с ОЭ они сдвинуты по отношению к оси напряжений на величину тока / КБО. Кроме того, эти характеристики смещаются вправо при увеличении по модулю напряжения ( / кэ, что объясняется влиянием падения напряжения на эмиттерном переходе. [2]
 |
Характеристики транзистора [ IMAGE ] Схема для снятия статиче. [3] |
Входная характеристика транзистора изображена на рис. 38, а. При очень больших токах 1Ъ входные характеристики близки к линейным. Кб вызывает смещение кривых влево, ближе к оси токов. Это смещение незначительно, и при напряжениях t / кб порядка нескольких вольт характеристики практически сливаются, что объясняется слабым влиянием напряжения коллектора t / K6 на эмит-терный переход. [4]
Входные характеристики транзистора - кривые, показывающие зависимость входного тока от входного напряжения транзисторов при различных фиксированных напряжениях ( или токах) в выходной цепи транзистора. [5]
Входные характеристики транзистора в схеме с общей базой ( рис. 5 - 15) показывают зависимость тока эмиттера / э от напряжения эмиттера относительно базы t / э.б. При различных напряжениях на коллекторе UK. [7]
Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером ( рис. 5 - 16) показывают зависимость тока базы / б от напряжения базы относительно эмиттера 6 б.э. Эти характеристики при разных напряжениях на коллекторе ик 3 различаются несколько больше, чем входные характеристики в схеме с общей базой. [9]
Входные характеристики транзистора в схеме ОБ показаны на рис. IX-17, г. При Uf - 0 характеристика подобна характеристике диода в пропускном направлении. Резкое изменение / э при небольшом увеличении U3 свидетельствует о малом входном сопротивлении транзистора. С ростом Ua это сопротивление ( ДС / а / Д /) уменьшается. [10]
Входные характеристики транзисторов чувствительны к управляющему току и температуре. [11]
Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером показаны на фиг. Величина, обратная крутизне характеристики, является входным сопротивлением транзистора. Следует отметить, что при низких токах входное сопротивление выше, чем при более высоких, и характеристики менее линейны. [12]
Входная характеристика транзистора рис. 1.7 6 в этом режиме строится по прямой ветви ВАХ эмиттерного перехода, но значения тока уменьшаются на коэффициент ( 1-а), показывающий, что ток базы - это лишь рекомбинацией-ная составляющая эмиттерного тока. [13]
Входная характеристика транзистора рис. 1.7 6 в этом режиме строится по прямой ветвн ВАХ эмиттерного перехода, но значения тока уменьшаются на коэффициент ( 1-а), показывающий, что ток базы - это лишь рекомбинацион-ная составляющая эмиттерного тока. [14]
Входная характеристика транзисторов представлена на рис. 5.10. Принять, что t / кэ. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5