Входная характеристика - транзистор
Cтраница 2
Входные характеристики транзисторов аналогичны диодным, но учитывают влияние напряжения U6 K. Правда, уже при U6 K 5 В ток базы не зависит от этого напряжения. [16]
Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для двух различных температур показаны на рис. 3 - 15, а. При повышении температуры обратный ток базы / ворб / КБО ЭБО увеличивается. При малых значениях прямой ток базы / Б / эп / эрек - / кво сильно зависит от обратного тока коллектора, поэтому с увеличением температуры он уменьшается. При больших значениях прямой ток базы определяется членами / эл эрек, которые увеличиваются вместе с увеличением тока эмиттера. Поэтому базовые характеристики при некотором значении прямого тока пересекаются. [17]
Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для двух различных температур показаны на рис. 3 - 15, а. При повышении температуры обратный ток базы / ворб / К. При малых значениях прямой ток базы / Б / эл эрек - / кво сильно зависит от обратного тока коллектора, поэтому с увеличением температуры он уменьшается. При больших значениях прямой ток базы определяется членами / эл - f - эрек, которые увеличиваются вместе с увеличением тока эмиттера. Поэтому базовые характеристики при некотором значении прямого тока пересекаются. [18]
Почему входные характеристики транзисторов приводятся обычно только для двух значений напряжения коллектора. [19]
Используя входные характеристики транзистора / Б / ( [ / БЭ), нетрудно перестроить динамическую характеристику в координатах гк, МБЭ. [20]
Семейство входных характеристик транзистора П14, как это видно из рис. 15.24, б, обладает той особенностью, что в интервале значений иэк0 2 - - 10 В зависимость тока базы 16 от напряжения между эмиттером и базой изображается одной и той же кривой. [21]
Семейство входных характеристик транзистора для схемы ОЭ / 6 / ( 63) t7 приведено на рис. 3.18, а. При 1 / кэ О вольт-амперная характеристика аналогична прямой ветви характеристики диода. С ростом напряжения на базе ток базы экспоненциально увеличивается, переходя в линейную зависимость при сравнительно большом токе базы. [22]
Семейство входных характеристик транзистора для схемы ОЭ / б - ф ( / 7бэ) ( у si показано на рис. 2.13, а. При / кэ 0 вольт-амперная характеристика аналогична прямой ветви характеристики диода. [23]
 |
Сквозная динамическая характеристика одного плеча бестрансформаторного. [24] |
Используя входную характеристику транзистора МП37 ( или МП39), определим ток / б т и напряжение t / вэ т, соответствующие максимальной аиъли-тудетока / Кт / эт 20 мА: / бт1 2 мА, i / 6am 0 8 В. [25]
Используя входную характеристику транзистора МП37 ( или МП39), определим ток / в m и напряжение U m, соответствующие максимальной амплитуде тока / Кт / эт 20 мА: / вт1 2 мА, ( Уб, т 0 8 В. [26]
По входной характеристике транзистора [23], включенного по схеме с общим эмиттером, находим, что току базы г б 0 042 - 10 - 3 А соответствует напряжение t / 3Q 0 33 В. [27]
По входной характеристике транзистора ГТ403А в схеме с общей базой ( рис. 15.5) определить входное сопротивление переменному току, если известно, что ток эмиттера изменяется в пределах от 0 15 до 0 35 А. [28]
По входной характеристике транзистора при напряжении на коллекторе t / K - 5B ( рис. 14.2, а) находим ток базы, соответствующий рабочей точке / бо0 6мА, Здесь воспользовались входной характеристикой, а не семейством характеристик, так как они мало отличаются друг от друга. Эта характеристика приблизительно соответствует среднему значению коллекторного напряжения. [29]
По статической входной характеристике транзистора МП40 с ОЭ для / ОБ / ок / / 121этп 11 / 200 55 мА находим i / OB0 273 В. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5