Cтраница 4
Изобразите, как изменяется входная характеристика транзистора при включении с общим эмиттером при увеличении температуры. [46]
![]() |
Какие элементы. уси. [47] |
На рис. 18.16 представлена входная характеристика транзистора. В режиме какого класса работает усилитель. Режимы каких классов можно обеспечить путем изменения напряжения смещения транзистора. [48]
На рис. 61 даны входные характеристики транзистора П25А в схеме с общим эмиттером. [49]
На рис. 62 даны входные характеристики транзистора П25А в схеме с общей базой. [50]
В третьем квадранте представлена входная характеристика транзистора. [51]
В третьем квадранте представлена входная характеристика транзистора. Здесь также показана только одна характеристика при номинальном напряжении ик. [52]
Попадая на нелинейный участок входной характеристики транзистора, этот сигнал вызывает изменения входного тока, форма которого отличается от синусоидальной. В связи с этим и выходной ток, а значит, и выходное напряжение изменят свою ( рорму по сравнению с входным сигналом. [53]
На рис. изображено семейство входных характеристик транзистора типа П13 в схеме с общей базой. [54]
![]() |
Примеры использования транзисторов в качестве активных сопротивлений нагрузок.| Схема генератора малых токов с температурной стабилизацией. [55] |
В схеме используется идентичность входных характеристик транзисторов ИС. Разность между падениями напряжений на переходах эмиттер - база двух транзисторов ИС определяет различие в отношении их коллекторных токов / Ki и / и. [56]
На рис. 8.18 а приведены входные характеристики транзистора в схеме с общей базой. Как изменится положение кривых на графике, если бы параметр А12б был равен нулю. [57]
Из него видно, что входная характеристика транзистора в схеме ОЭ, работающего в активном режиме, не проходит через начало координат. [58]
![]() |
Схема включения транзистора с ОЭ ( а и токораслределение внутри транзистора при нормальном режиме ( б и при. кл О В ( в. [59] |
Выходное напряжение незначительно влияет на входные характеристики транзистора, поэтому их семейство представляет собой узкий пучок, сливающийся в одну кривую. При этом ток во входной цепи значительно возрастает по сравнению с нормальным рабочим режимом ( ЕК б; VK 0), потому что прямой ток базы для данного случая ( икэ 0) проходит через два параллельно включенных перехода: эмиттерный и коллекторный. Коллекторная составляющая прямого тока / кпр, очевидно, будет больше эмиттерной составляющей, так как площадь коллекторного перехода больше эмиттерного. [60]