Входная характеристика - транзистор
Cтраница 3
По входной характеристике транзистора Ml 137 ( или Ml 139), проведя прямую линию через нуль и точку / б max под углом а к оси абсцисс, определяем усредненное входное сопротивление Явх. [31]
 |
Схемы с температурной стабилизацией режима транзистора. [32] |
Если сопоставим входные характеристики транзистора ( см. рис. 2 12, а) и анодносеточные характеристики лампы ( см. рис. 3.7, а), то увидим, что лампа в отличие от транзистора может работать не только при положительном потенциале сетки, но и при отрицательном потенциале сетки относительно катода. Транзистор же открыт только при отрицательном потенциале базы. При изменении полярности этого потенциала, когда ток базы уменьшается до весьма малой величины, транзистор закрывается. [33]
 |
Схема исследования транзистора с общим эмиттером. [34] |
Какую зависимость выражает входная характеристика транзистора по схеме с общим эмиттером. [35]
 |
Диаграммы распределения примесей в диффузионно-сплавном транзисторе.| Семейства входных статических характеристик транзистора в схемах с общей. базой ( а и с общим эмиттером ( б. [36] |
По своей форме входные характеристики транзистора близки к вольт-амперной характеристике диода. Различие характеристик, снятых при разных напряжениях коллектора, невелико, особенно в схеме с общей базой. Разброс входных характеристик в схеме с общей базой обычно не превышает 10 - 15 %, но в схеме с общим эмиттером может быть более существенным и связан главным образом с отличием коэффициента усиления по току. [37]
 |
Семейства входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ ( а и ОЭ ( б. [38] |
По своей форме входные характеристики транзистора близки к ВАХ диода. Различие характеристик, снятых при разных напряжениях коллектора, невелико. Разброс входных характеристик для отдельных экземпляров транзисторов одного типа в схеме ОБ обычно не превышает 10 - 15 % ( в направлении оси / э), а в схеме ОЭ может быть более существенным. [39]
Если имеется семейство входных характеристик транзистора, то можно построить входную рабочую характеристику путем перенесения по точкам в это семейство выходной рабочей характеристики. Однако в справочниках обычно не приводится семейство входных характеристик, а даются лишь характеристики для ик э 0 и для некоторого кк э 0 или даже только одна последняя кривая. В, располагаются очень близко друг к другу, то и рабочая характеристика мало отличается от них. [40]
Обратимся к рассмотрению входных характеристик транзистора - зависимостей тока базы от напряжения между базой и эмиттером: / Б / ( бэ) при постоянном напряжении Укэ - При / 7кэ 0 оба перехода в транзисторе работают при прямом напряжении, токи коллектора и эмиттера суммируют в базе. [41]
Как изменится положение входных характеристик транзистора, рассмотренного в предыдущей задаче, если параметр Лцэ будет больше, чем в случае, которому соответствует рисунок. [42]
Если вместо семейства статических входных характеристик транзистора имеется лишь статическая входная характеристика для одного значения напряжения на коллекторе, точки нагрузочной прямой переносят на входную статическую характеристику, по которой затем находят необходимые входные данные. [43]
Изобразите, как изменяется входная характеристика транзистора при включении с общим эмиттером при увеличении температуры. [44]
На рис. 18.16 представлена входная характеристика транзистора. В режиме какого класса работает усилитель. Режимы каких классов можно обеспечить путем изменения напряжения смещения транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5