Вольт-амперная характеристика - переход
Cтраница 1
 |
Вольт-амперные характеристики. [1] |
Вольт-амперная характеристика перехода не может быть определена экспериментально, поскольку точки / - / на рис. 1 - 2 недоступны исследователю. Экспериментально определяют вольт-амперную характеристику диода гф. Последняя измеряется на постоянном то ке или на переменном токе низкой частоты, когда наличием параметров Сд и Ls можно пренебречь. [2]
 |
Вольт-амперная характеристика перехода. [3] |
Вольт-амперные характеристики переходов используются также для определения сопротивления базы. Для этой цели характеристика определяется как в области сравнительно больших токов включением перехода в диодном режиме ( при отключенном коллекторе), так по методике. Результаты измерения напряжений Убэ в указанных двух случаях будут различны. [4]
Вольт-амперные характеристики перехода Джозефсона, образованного двумя сверхпроводниками, разделенными туннельным изолирующим слоем толщиной несколько нанометров ( рис. 6.15), имеют гистерезисный характер. [5]
 |
Вольт-амперная и вольт-фарадная характеристика р-п перехода. [6] |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода показана на рис. 2 - 5 сплошной линией. Из рисунка следует, что р-п переход обладает резко выраженной односторонней проводимостью. [7]
Вольт-амперные характеристики перехода УЭ-К тиристора имеют нелинейный характер и отличаются большим разбросом для одного и того же типа тиристора. Также большой разброс имеют и значения токов управления ( спрямления), при которых для данной температуры происходит включение тиристора. Поэтому обычно приводятся минимальные значения тока управления / у. [8]
 |
Прямое включение перехода металл - полупроводник n - типа при фпфм.| Обратное включение. [9] |
Вид вольт-амперной характеристики перехода Шоттки зависит от соотношения длины свободного пробега носителей заряда и толщины обедненного слоя. Если длина свободного пробега электронов меньше толщины обедненного слоя, то электроны, проходя запирающий слой, испытывают многократное рассеяние на фононах и траектория их движения носит диффузионный характер. [10]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики перехода Шоттки ( /) и р-п - перехода ( 2) изображена на рис. 2.12. Начальный участок представляет собой режим термоэлектронной эмиссии, а следующий участок определяется падением напряжения на сопротивлении толщи полупроводника. [11]
 |
I - U-характеристика туннельного перехода, образованного неодинаковыми сверхпроводниками. [12] |
Таким образом, вольт-амперная характеристика перехода между неодинаковыми сверхпроводниками позволяет непосредственно измерить величину энергетической щели обоих сверхпроводников. [13]
 |
Плотность носителей зарядов ( б, пространственный заряд ( в и распределение потенциала ( г на р-п переходе ( а. [14] |
Экспериментальная и расчетная вольт-амперные характеристики р-п перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5