Вольт-амперная характеристика - переход
Cтраница 3
Зависимость тока от величины приложенного к р-п-перехос) у напряжения называют вольт-амперной характеристикой перехода. [31]
Таким образом, электродная характеристика полупроводника - типа фактически представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики гетерофазного перехода, причем участок II соответствует току насыщения перехода, а III - предпробойный. [32]
 |
Характеристика прямой передачи ( стоко-затворная транзистора с управляющим р-п. переходом.| Входная характеристика транзистора с управляющим р-п переходом. [33] |
Выходная характеристика полевого транзистора ( рис. 13 - 7) представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики р-п перехода. Ток затвора ( входной ток) зависит от напряжения между стокои и истоком. [34]
 |
Прохождение тока через pr - переход полупроводникового вентиля. а - открытое ( проводящее состояние. б - закрытое ( непроводящее состояние. в - вольт-амперная характеристика / э-л-перехода. [35] |
Зависимость тока /, проходящего через р-л-переход, от приложенного к нему напряжения U называется вольт-амперной характеристикой перехода. Эта характеристика имеет две ветви ( рис. 2 в): одна расположена в первом квадранте и соответствует проводящему направлению в р-л-переходе ( прямому току / пр в нем), вторая - в третьем квадранте и характеризует запирающие свойства перехода. От характеристики идеального вентиля она отличается наличием некоторого падения напряжения на вентиле при прохождении прямого тока / пр и обратного тока в случае приложения обратного напряжения ( / обр - Неуправляемые вентили - диоды. Диодами называются двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. [36]
 |
Прохождение тока че рез р-п переход полупроводникового диода. [37] |
Зависимость тока /, проходящего через р-п переход, от приложенного к нему напряжения U называется вольт-амперной характеристикой перехода. Эта характеристика имеет две ветви ( рис. 1 в): одна расположена в первом квадранте и соответствует проводящему направлению в р-п переходе ( прямому току в нем), вторая - в третьем квадранте и характеризует запирающие свойства перехода. [38]
 |
Характеристика стабилитрона ( а ц схема его включения ( б. [39] |
Вольт-амперная характеристика стабилитрона ( рис. 11 - 16, а) соответствует области пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода. Как было показано в § 10 - 5, напряжение в случае лавинного1 или туннельного пробоя зависит от удельного сопротивления полупроводников, образующих переход. Используя пластины п - Si с различной концентрацией примесей, можно изготовить стабилитроны с различными значениями Unp0e, соответствующими переходу в область лавинообразного роста обратного тока, а следовательно, и с различными значениями напряжения стабилизации. При использовании высоколегированного n - Si при напряжениях пробоя 27Проб 6 В преобладает туннельный пробой; при С проб - 5 - г - 7 В наряду с туннельным развивается и лавинный пробой, который при С / проб 7 В становится доминирующим. [40]
 |
Зависимость относительного изменения частоты и коэффициентов 2, 3 и 4 - й гармоник от С / о в кварцевом генераторе. [41] |
Коэффициенты гармоник тока могут быть рассчитаны в каждом конкретном случае по методике, приведенной в § 2 - 4, уде усредненная вольт-амперная характеристика перехода с высокой точностью аппроксимирована полиномом 10 - й степени. [42]
Если предположение о возникновении новых центров генерации верно, то после механического разрушения перехода наряду с увеличением тока в обратном направлении следует ожидать изменения прямой ветви вольт-амперной характеристики перехода. Более того, отношение токов в прямом направлении до и после разрушения кристалла при различных смещениях должно оставаться постоянным, поскольку это отношение определяется токами насыщения. [43]
При удельных сопротивлениях областей p - n - перехода, несколько больших, чем применяются в туннельных диодах, можно добиться смещения точки развития туннельного эффекта на вольт-амперной характеристике р-п перехода к нулевому напряжению. Приборы с такими характеристиками называются обращенными диодами, поскольку обратный ток у них нарастает быстрее прямого; они представляют большой интерес для индикации и детектирования слабых сигналов и для решения других нелинейных задач яри низких уровнях напряжения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5