Вольт-амперная характеристика - переход
Cтраница 2
В прямой ветви вольт-амперной характеристики переходов обеих групп можно выделить четыре участка, последовательно сменяющих друг друга. [16]
В прямой ветви вольт-амперной характеристики переходов обеих групп можно выделить четыре участка, последовательно сменяющих друг друга. [17]
Полученное выражение является вольт-амперной характеристикой перехода Шоттки для тонкого запирающего слоя. [18]
На рис. 32 представлена вольт-амперная характеристика перехода олово - окись олова - свинец при 1 5 К для двух значений магнитных полей. При токах, больших критического тока перехода, возникает напряжение и характеристика становится такой же как у туннельного перехода Джавера. [19]
При этом теоретическое выражение вольт-амперной характеристики р-п перехода становится справедливым и для обратной ветви. [20]
На рис. 1 - 2 изображена вольт-амперная характеристика р-п перехода. [21]
 |
Устройство туннельного диода.| Вольт-амперные характеристики и условные изображения диодов. [22] |
На рис. 2 - 25 показаны различные вольт-амперные характеристики р-п переходов, расположенные в порядке увеличения концентрации примеси в полупроводниковых областях. [23]
На рис. 2 приведены графики прямых ветвей вольт-амперной характеристики эпитаксиально-диффузионных переходов на a - SiC. На каждой кривой можно найти три участка: I - токов утечки, II - с зависимостью тока от напряжения, близкой к экспоненциальной, и III-токов, ограниченных последовательным сопротивлением толщи кристалла и омических контактов. [24]
На рис. 2 приведены графики прямых ветвей вольт-амперной характеристики зпитаксиально-диффузионных переходов на a - SiC. На каждой кривой можно найти три участка: I - токов утечки, II - с зависимостью тока от напряжения, близкой к экспоненциальной, и III - токов, ограниченных последовательным сопротивлением толщи кристалла и омических контактов. [25]
А поскольку коллекторный переход смещен в обратном направлении, вольт-амперная характеристика перехода коллектор - база сходна с характеристикой диода в обратном направлении. Это означает, что усиление по мощности в схеме с заземленной базой может быть получено только в случае, если сопротивление нагрузки коллектора значительно больше сопротивления входного генератора, управляющего цепью эмиттера. [26]
 |
Влияния температуры на вольт-амперную характеристику р-п перехода. [27] |
У некоторых типов приборов обратимый пробой является основным рабочим участком вольт-амперной характеристики р-п перехода. [28]
По аналогии с нормальным активным режимом работы транзистора выразим уравнение вольт-амперной характеристики базо-коллекторного перехода через характерную точку / Б, U & K, где Б - то же значение тока базы, которое характеризует точку с координатами / Б, f / бэ Для базо-эмиттерного перехода транзистора, работающего в нормальном активном режиме. [29]
 |
Вольт-амперная характеристика р - / г-перехода. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5