Вольт-амперная характеристика - переход
Cтраница 4
 |
Вольт-амперная и вольт-фарадная характеристика р-п перехода. [46] |
При обратном напряжении экспоненциальный член быстро стремится к нулю. Вольт-амперная характеристика р-п перехода показана на рис. 2 - 5 сплошной линией. Из рисунка следует, что р-п переход обладает резко выраженной односторонней проводимостью. [47]
Недостатком транзисторных схем с непосредственными связями является резкая нелинейность их входного сопротивления. Действительно, вольт-амперная характеристика база-эмиттерного перехода транзистора ( характеристика открытого диода) имеет вид, характерный для стабилизатора напряжения. [48]
Электрические свойства плоскостного р-п перехода могут быть рассчитаны с большой точностью. На нем представлены вольт-амперные характеристики р-п перехода, рассчитанные теоретически и полученные экспериментально. [49]
Нелинейность в.а.х. позволяет использовать выпрямляющие переходы для выпрямления, генерации и усиления электрических сигналов. Для каждого конкретного прибора к вольт-амперной характеристике перехода предъявляют особые требования. [50]
Первое из этих обстоятельств требует учета в эквивалентной схеме ТД всех его параметров. В связи с этим особое значение приобретает использование вольт-амперной характеристики р-п перехода. [51]
Из (8.115) видно, что при туннельном пробое напряжение пробоя пропорционально удельному сопротивлению высокоомной области полупроводника. На рис. 8.21, а кривая 2 изображает обратную ветвь вольт-амперной характеристики перехода, соответствующую туннельному пробою. [52]
Для радиометрической аппаратуры наиболее характерен диапазон температур от - 20 до 50С С, то в пей можно широко использовать германиевые транзисторы, применяя кремниевые триоды только в случае необходимости. Однако даже в указанном диапазоне температур имеет место заметный сдвиг вольт-амперных характеристик переходов, изменение коэффициента усиления, сопротивления базы и неуправляемого обратного тока коллекторного перехода. [53]
Вторая группа отказов связана с накоплением на поверхности полупроводника двуокиси кремния, а в объеме, близком к поверхности, зарядов, изменяющих состояние р-п переходов, и появление поверхностных каналов. В результате этого происходит увеличение токов утечки, отсутствие насыщения вольт-амперной характеристики перехода коллектор-база, омическое шунтирование эмиттера с коллектором, снижение обратного пробивного напряжения на коллекторе, уменьшение коэффициента усиления по току, омическое шунтирование эмиттера с базой, увеличение шумов. [54]
Среди преобразователей, выполняющих нелинейные алгебраические операции, широко распространены устройства умножения, возведения в квадрат, деления, извлечения квадратного корня. К этому же классу устройств относятся усилители с логарифмической характеристикой, использующие особенности вольт-амперной характеристики р-п перехода. [55]
Все результаты, о которых сообщили Вольф и Холлер, относятся к одному выбранному типу транзистора. Диапазон обратных смещений, в котором они надежно наблюдали взрывной шум, указывается на рис. 7.3 горизонтальной чертой, на нем проводится обратная ветвь вольт-амперной характеристики перехода при фиксированной температуре. [57]
Явление взрывного шума и его происхождение было рассмотрено в работе Леонарда и Яскольски [22] в связи с функционированием широкополосных интегральных усилителей. Из проведенного исследования они сделали вывод о том, что шум лопающихся зерен кукурузы ( взрывной шум) имеет место тогда, когда у обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода коллектор - база имеются области отрицательного сопротивления, находящиеся около колена ветви, соответствующего началу пробоя. Леонард и Яскольски сообщили, что в том случае, когда напряжение обратного смещения было таким, что рабочая точка совпадала с областью подобного отрицательного сопротивления, они наблюдали локальное излучение света. Известно, что микроплазма излучает свет [10], и это привело Леонарда и Яскольски к выводу о том, что взрывной и микроплазменный шумы эквивалентны. Однако они не предпринимали попытки примирить отмеченные выше несоразмерности между микроплазменным и взрывным шумами. [58]
 |
Схема усилителя постоянного тока. [59] |
Входное сопротивление цепи база - эмиттер, в которой протекает ток / в, изменяется в зависимости от температуры окружающей среды и режима работы транзистора. Вольт-амперная характеристика перехода база - эмиттер близка по виду к прямой вольт-амперной характеристике полупроводникового диода. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5