Cтраница 1
Вольт-амперные характеристики транзистора в этой схеме практически такие же, как и в схеме с ОЭ, поскольку ток коллектора практически равен току эмиттера. [1]
Вольт-амперная характеристика транзистора Т2 существенно нелинейна; поэтому этот ключ принято называть ключом с нелинейной нагрузкой. [2]
Поскольку вольт-амперные характеристики транзистора нелинейные, параметры эквивалентной схемы зависят от положения рабочей точки. [3]
Как выглядят вольт-амперные характеристики транзистора. На рис, 4 показаны типовые входная и выходная характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [4]
Более точное отражение вольт-амперных характеристик транзистора достигнуто в модели, предложенной А. Н. Павловым и В. П. Панферовым [21] и примененной в программе ПАЭС-1. [5]
На рис. 7.2 показаны вольт-амперные характеристики транзистора в режиме лавинного пробоя при различных условиях в его базе. Отсюда видно, что при использовании транзистора при напряжениях, близких к пробою, можно существенно влиять на напряжение пробоя схемным путем. [6]
![]() |
Динамические характеристики транзистора П403. [7] |
Наиболее удобно аппроксимировать не вольт-амперную характеристику транзистора, а импульс коллекторного тока. [8]
Задача 1.24. На какой из вольт-амперных характеристик транзистора с общей базой заметнее проявляется эффект модуляции толщины базы. [9]
На рис. 111 а приведено семейство вольт-амперных характеристик транзистора при включении с общим эмиттером. [10]
На рис. 111 6 представлено семейство вольт-амперных характеристик транзистора при включении с общей базой. [11]
На рис. 111 а приведено семейство вольт-амперных характеристик транзистора при включении с общим эмиттером. [12]
На рис. 111 6 представлено семейство вольт-амперных характеристик транзистора при включении с общей базой. [13]
Цепочки, изменяющие траекторию рабочей точки вольт-амперной характеристики транзистора при его переключении, находят применение в инверторах, работающих на индуктивно-активную нагрузку, в однотактных конверторах и в регулируемых двухтактных конверторах. В указанных преобразователях траектория рабочей точки имеет наиболее неблагоприятный вид - рост и спад тока коллектора происходят при полном напряжении, приложенном к транзистору. [14]
Точное аналитическое выражение, описывающее семейство вольт-амперных характеристик МДП транзистора [6], чрезвычайно сложно для использования в инженерных расчетах. Поэтому на практике применяют различные аппроксимированные выражения, с большей или меньшей точностью описывающие вольт-амперные характеристики транзистора. [15]