Вольт-амперная характеристика - транзистор
Cтраница 4
На рис. 8.1, а приведен транзистор, включенный по схеме ОЭ, и показаны положительные направления токов и напряжений на его электродах; вольт-амперные характеристики транзистора 1К - IK ( кэ) при разных токах базы показаны на рис. 8.1, б, для простоты характеристики представлены отрезками прямых. [46]
 |
Транзистор типа р-п - р в схеме с общим эмиттером.| Транзистор типа р-п - р. [47] |
На рис. 8.1, а приведен транзистор, включенный по схеме ОЭ, и показаны положительные направления токов и напряжений на его электродах; вольт-амперные характеристики транзистора JK JK ( Икэ) при разных токах базы показаны на рис. 8.1, б, для простоты характеристики представлены отрезками прямых. [48]
 |
Транзистор типа р-п - р в схеме с общим эмиттером. а-условное обозначение. б-вольт-амперные характеристики.| Транзистор типа p - n - p. [49] |
На рис. 8.1, а приведен транзистор, включенный по схеме ОЭ, и показаны положительные направления токов и напряжений на его электродах; вольт-амперные характеристики транзистора I K I K ( нкэ) при разных токах базы показаны на рис. 8.1, б, для простоты характеристики представлены отрезками прямых. [50]
На рис. 2 - 13 а показана схема панорамного измерения вольт-амперной характеристики стабилитрона, а на рис. 2 - 13 6 и в показаны схемы измерения входной и выходной вольт-амперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [51]
Испытания транзисторов на стабильность характеристик показали, что у транзисторов малой мощности, работающих в режиме, близком к допустимому, в течение первых 50 ч работы наблюдается смещение вольт-амперной характеристики транзистора, включенного по схеме со свободной базой, примерно на 10 % в сторону увеличения тока. У транзисторов большой мощности смещение характеристик наблюдается до 150 ч непрерывной работы в режиме, близком к предельно допустимому, а величина приращения тока достигает 40 % i от первоначального значения. [52]
 |
Транзистор в виде трехполюсника.| Схемы замещения транзистора. а - с зависимым источником тока и б - с зависимым источником напряжения. [53] |
Следует подчеркнуть, что гэ, гб и гк являются дифференциальными сопротивлениями для переменных составляющих токов, амплитуды которых достаточно малы, чтобы оправдывалось допущение о линейности используемых участков соответствующих вольт-амперных характеристик транзистора. Иными словами, подразумевается режим усиления слабых сигналов. [54]
В нашем случае ( кривая / /, рис. 79 Э - кривая напряжения на емкости С рис. 79 а) амплитуды противоположных по знаку дифференцированных импульсов / / ( рис. 79 е) будут отличаться из-за нелинейности вольт-амперной характеристики транзистора. [55]
Зависимость между параметрами транзистора, так же как и диода, выражается вольт-амперными характеристиками. Вольт-амперные характеристики транзисторов, как и электровакуумных ламп, нелинейны, поэтому их параметры во многом зависят от выбора рабочей точки. Состояние транзистора определяется четырьмя переменными. Следовательно, для полного описания состояния транзистора необходимо иметь два семейства статических характеристик, содержащих зависимость трех величин. Удобно в качестве независимых переменных принять напряжение. Это позволяет пользоваться для расчетов терминологией и методикой, применяемыми для схем с электровакуумными лампами. Как правило, в справочниках приводятся вольт-амперные характеристики транзисторов, включенных по схемам с общей базой и общим эмиттером. [56]
Основой графического расчета являются входные и выходные вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. Вольт-амперные характеристики транзистора, полученные без включения нагрузки во внешнюю цепь, называются статическими, а при включении нагрузки - динамическими. [57]
 |
Области на плоскости семейства коллекторных характеристик. [58] |
В связи с нелинейностью вольт-амперных характеристик транзисторов в работе транзисторных генераторов различают недонапряженный, критический и перенапряженный режим работы. [59]
Точное аналитическое выражение, описывающее семейство вольт-амперных характеристик МДП транзистора [6], чрезвычайно сложно для использования в инженерных расчетах. Поэтому на практике применяют различные аппроксимированные выражения, с большей или меньшей точностью описывающие вольт-амперные характеристики транзистора. [60]
Страницы: 1 2 3 4