Вольт-амперная характеристика - транзистор
Cтраница 2
На рис. 97, а приведено семейство вольт-амперных характеристик транзистора при включении с общим эмиттером. [16]
На рис. 92, а приведено семейство вольт-амперных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером. [17]
На рис. 92, б представлено семейство вольт-амперных характеристик транзистора в схеме с общей базой. [18]
На рис. 2 - 3 представлено семейство вольт-амперных характеристик МДП транзистора с индуцированным каналом / г-типа. Область характеристик, в которой наблюдается зависимость тока стока от напряжения на стоке, называется крутоц областью; область характеристик, в которой ток стока достигает насыщения, называется пологой. [19]
При больших значениях R Bxk нагрузочная прямая на семействе вольт-амперных характеристик транзистора имеет малый угол наклона к оси абсцисс и рабочая точка будет перемещаться в области нелинейного участка входной характеристики транзистора. [20]
 |
Параметрический стабилизатор. [21] |
Принцип действия регуляторов-стабилизаторов с непрерывным регулированием основан на зависимости вольт-амперной характеристики транзистора от базового тока. Благодаря этому свойству транзистор можно рассматривать как резистор с регулируемым сопротивлением, которое определяется током базы. [22]
Рабочая точка открытого ключа лежит на начальном, линейном участке вольт-амперной характеристики рассматриваемого транзистора. [23]
На рис. 4 - 7 показана схема для снятия по точкам вольт-амперных характеристик транзистора в схеме с ОЭ. Плавное изменение напряжений достигается делителями на сдвоенных потенциометрах. Для уменьшения погрешностей измерения миллиамперметр в цепи эмиттера включается до милливольтметра, который должен обладать большим входным сопротивлением. [24]
При запирании транзисторного ключа характер переходного процесса в значительной степени определяется вольт-амперными характеристиками транзистора. [25]
Прежде всего, как показано в [ 41, различие в вольт-амперных характеристиках транзисторов с однородным и пиковым распределением незначительное и погрешности измерений, а также разброс параметров отдельных образцов не позволили с достаточной достоверностью судить о модели канала. [26]
 |
Входная характеристика транзистора, работающего в области отсечки.| Передаточная характеристика транзистора, работающего в области отсечки. [27] |
Инверсное включение транзисторов применяется сравнительно редко, поэтому в справочниках не приводятся вольт-амперные характеристики транзистора при работе в инверсной области. [28]
Аналитические выражения для данных сопротивлений могут быть получены из соответствующих уравнений для вольт-амперных характеристик транзистора. [29]
 |
Схема простейшего электронного ключа на биполярном транзисторе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4