Вольт-амперная характеристика - транзистор
Cтраница 3
Входное сопротивление транзистора лвх 8 и напряжение отпирания U д От находят по базовой вольт-амперной характеристике транзистора. Коллекторная характеристика в активной области рассчитывается по известной формуле / ( 3 / 6 / кг ( 3 / v 1) с учетом зависимости р от тока. [31]
 |
Структурная схема осциллографической приставки, превращающей телевизор в растровый осциллограф. [32] |
Для линеаризации разряда конденсатора С используется токо-стабилизирующее свойство транзистора Т, что объясняется вольт-амперной характеристикой транзистора, имеющей горизонтальный участок, где ток его сохраняет постоянную величину при значительных изменениях напряжения на коллекторе. [33]
На рис. 7 - 26, б - кривая 1 - показана начальная часть вольт-амперной характеристики транзистора в таком режиме управляемого выпрямителя. [34]
В схемах на рис. 2 - 13 6 и в предусмотрен диод Дь так как вольт-амперные характеристики транзисторов изменяются только при одной полярности питающего напряжения. [35]
При дальнейшем увеличении - еу ток ie увеличивается, точка пересечения оказывается на насыщенном участке вольт-амперных характеристик транзистора и насыщение возрастает. [36]
При дальнейшем увеличении - еу ток in увеличивается, точка пересечения оказывается на насыщенном участке вольт-амперных характеристик транзистора и насыщение возрастает. [37]
При дальнейшем увеличении - еу ток ie увеличивается, точка пересечения оказывается на насыщенном участке вольт-амперных характеристик транзистора и насыщение возрастает. [38]
Почему рабочую точку транзистора, используемого в качестве преобразователя частоты, следует выбирать на нелинейном участке вольт-амперной характеристики транзистора. [39]
Поскольку в схемах модуляторов транзистор работает практически при отсутствии напряжения на промежутке коллектор - эмиттер, то при рассмотрении вольт-амперных характеристик транзистора наибольший интерес представляет область этих характеристик при малых напряжениях на промежутке коллектор - эмиттер. [40]
В интегральных схемах это условие не выполняется, поэтому приходится использовать аппроксимации, в которых учитывается влияние потенциала подложки на вольт-амперные характеристики транзистора. [41]
Аналитические выражения для статических параметров ключевого режима работы транзистора U0, / 3, г0 и г3 будут получены из уравнений вольт-амперных характеристик транзистора в последующих разделах. Там же будет проведено исследование зависимости этих параметров от схемы включения транзистора, режима его работы, температуры окружающей среды и других факторов. [42]
В книге при рассмотрении и анализе схем одного и того же типа обращается внимание на вопросы целесообразного использования частотных свойств и вольт-амперных характеристик транзисторов и диодов для получения максимального быстродействия и увеличения допусков на разброс характеристик. [43]
Так же как и в однотактных схемах, полное использование транзисторов в двухтактной схеме допускается лишь при определенном согласовании сопротивления нагрузки с вольт-амперными характеристиками транзисторов. Иначе говоря, нагрузочные характеристики должны быть расположены так, чтобы их крайние точки А. [44]
 |
Транзистор типа р-п - р в схеме с общим эмиттером. а-условное обозначение. б - вольт-ымперные характеристики.| Транзистор типа р-п - р. [45] |
Страницы: 1 2 3 4