Волькенштейн

Cтраница 1

Три возможных пути адсорбции атома натрия на поверхности полупроводника. [1]

Волькенштейн указал, что так как положение уровня Ферми играет доминирующую роль в этой теории, то понятно, почему каталитическая активность и адсорбционная способность полупроводников, имеющих значительно различающиеся уровни Ферми, могут быть столь различными. [2]

Волькенштейн и Гольдштейн [337 ], однако, рассматривают выражение скорости многомаршрутной реакции по данному маршруту в виде разности ее скоростей в прямом и обратном направлениях. В общем случае это неправомерно, хотя в частных случаях, как будет видно ниже, возможно. [3]

Волькенштейн и Птицын дали математическую трактовку идеям Кобеко для простейшей модели жидкости. [4]

Волькенштейн [22, 23] сделал упрощающее предположение, что только ограниченное число вращательных состояний вносит заметный вклад в среднюю конформацию цепи. За эти вращательные состояния, обладающие минимумом энергии, были приняты те, которые появляются в кристаллическом состоянии. [5]

Волькенштейн остановился на вопросе, является или не является идеальная кристаллическая решетка каталитически активной, и отметил, что с теоретической точки зрения идеальная поверхность полупроводника должна обладать некоторыми каталитическими свойствами, но в реальном случае, при наличии являющихся центрами локализации свободных валентностей структурных дефектов, поверхность будет значительно более активна ив адсорбционном, и в каталитическом отношении. Что касается эксперимента, то, по его мнению, он не может дать ответа на этот вопрос. [6]

Волькенштейн и Киселев подчеркивают, что при рассмотрении системы адсорбент - адсорбат как единой квантовомеханической системы электронный переход означает лишь переход носителя тока ( электрона, дырки) из одного энергетического состояния в другое без фиксации геометрии перехода. Однако при сохранении иона-ми решетки своих индивидуальных свойств и отсутствии зон проводимости такая трактовка уже становится неприемлемой. [7]

Волькенштейн рассматривает разные формы адсорбции с различной природой связи ( более и менее прочной), имеющие ионный или кова-лентный характер, и различные формы поверхностных соединений - валентно-насыщенные, радикальные, ионно-радикальные. Между разными формами адсорбционной связи предполагается равновесие с их взаимопереходами. Последнее регулируется положением уровня Ферми, которое и определяет адсорбционную способность данного полупроводника, заряженность поверхности, реакционную способность адсорбированных частиц. Таким образом, химически адсорбированные частицы трактуются как центры локализации свободных электронов или дырок, являясь соответственно акцепторами или донорами, электронов. Заряжение адсорбированного слоя возникает при образовании прочных связей - акцепторных или донорных, которые могут быть как ионными, так и ковалентными. Более слабая адсорбционная связь возникает без участия свободных валентностей поверхности и без заряжения адсорбированного слоя. Согласно концепции Волькенштейна, с изменением уровня Ферми, доли частиц, находящихся в состоянии разных адсорбционных связей, соответственно изменяются. Например, повышение уровня Ферми может вести к уменьшению доли донорных связей и увеличению доли акцепторных связей; при этом доля слабых связей пройдет через максимум. При достаточно высоком положении уровня Ферми может практически полностью осуществляться акцепторная связь, а при достаточно низком положении - донорная связь. [8]

Волькенштейн предположил, что каждая связь имеет поляризуемость, которую можно разложить в ряд по степеням ее длины. Полная поляризуемость кристалла или молекулы определяется как сумма поляризуемостей всех связей. Концепция поляризуемости связи оказалась чрезвычайно полезной и для теоретического анализа спектров аморфных полупроводников ( гл. [9]

Волькенштейн [5] впервые показал, что локализация носителя заряда на пустом адсорбционном ПС ( в его терминологии - нейтральная форма хемосорбции) приводит к упрочнению связи и возникновению реакционноспособной заряженной ионно-радикальной формы хемосорбции. Тем самым была показана возможность управления окислительно-восстановительным катализом за счет возбуждения электронной подсистемы полупроводника. Однако, как мы это неоднократно показывали [3], очень многие окислительно-восстановительные реакции протекают не по радикальному механизму. [10]

Волькенштейна [91], [92] состоит в-том, что при хемосорбции по механизму образования слабой, или прочной акцепторной или донорной связи а поверхности появляются химически активные формы вещества, которые могут участвовать в реакции и проводить ее с достаточной скоростью. При этом для протекания процесса в одних случаях благоприятными являются электронно-донорные свойства поверхности, в других - электронно-акцепторные, в третьих - для реакции необходимо участие свободных валентностей обоих типов. [11]

Волькенштейну [ 431 растворы H2SiFe обладают сильным эффектом Тиндаля. [12]

Волькенштейну [8], понятие электронный переход в катализе и хемосорбции - некорректно. [13]

Волькенштейном была сформулирована изящная теория, предназначенная для объяснения экспериментальных данных по адсорбции и катализу полупроводниками. [14]

Поэтому Волькенштейн [303] и Волькенштейн и Ельяшевич [304, 305] предложили теорию поляризуемости связей для объяснения интенсивности линий в спектре КР. Поляризуемость каждой связи а ( п) есть тензор, одна из главных осей которого совпадает с направлением связи, а две другие главные оси перпендикулярны ему. Предполагается, что связь обладает цилиндрической симметрией, так что для главных значений а 1 5 х 2 а 3, где п обозначает связь. Поляризуемость связи изменяется с изменением длины связи. Поляризуемость связи не зависит от изменения валентных углов. Эта теория была переложена Лонгом [306] и Фериглом и Вебером [307] на язык метода FQ-матриц. Свердлов [308] и Лонг и др. [309] обобщили теорию таким образом, что третье предположение Волькен-штейна удалось исключить. Более того, Свердлов и Прокофьева [310] обсудили необходимость включения в теорию производных поляризуемости данной связи по углам и длинам других связей молекулы. [15]

Страницы: 1 2 3 4