Центр - локализация
Cтраница 1
Центры локализации кислотных поверхностных окислов. Частицы углеродных саж в первом приближении являются сферическими. При рекристаллизации в температурном интервале от 2000 до 3000 множество маленьких кристаллитов спаиваются, образуя кристаллы графита пирамидальной формы. Поэтому поверхность графитизированной сажи содержит только базисные графитовые плоскости и, следовательно, является очень однородной. [1]
Структурные дефекты поверхности, будучи центрами локализации для свободных валентностей, могут выступать в роли центров адсорбции. В этом случае реальная, но однородная поверхность в отношении адсорбционных свойств может вести себя как неоднородная. Это есть результат учета теплового беспорядка на поверхности кристалла. [2]
Дефекты поверхности, будучи центрами адсорбции и являясь центрами локализации для свободных валентностей поверхности, могут выступать, как мы видим, в роли активных центров при катализе. В этой же роли могут выступать ансамбли, построенные из таких дефектов. [3]
В этой модели рассматривается упорядоченная система адсорбционных центров или центров локализации. В более совершенных вариантах [14] вводится также взаимодействие адсорбированных молекул друг с другом. Полное взаимодействие представляется как сумма парных взаимодействий, каждому из которых также приписывается некоторая постоянная энергия. [4]
В заключение следует подчеркнуть, что различные ионные структуры и центры локализации положительного заряда, которые упоминались в данном разделе, были введены главным образом из соображений наглядности. [5]
Образованные в результате такого перехода нейтральные щелочные атомы следует рассматривать как центры локализации свободных электронов. Свободный электрон без каких-либо дополнительных энергетических затрат может совершать переходы от одного щелочного иона к другому и таким образом может свободно перемещаться по всему кристаллу. Этот процесс и описывается рассмотренными в предыдущей главе блоховскими волновыми функциями. [6]
В ряде работ [5-7] Ф. Ф. Волькенштейна было показано, что такой структурный дефект оказывается центром локализации для свободного электрона или свободной дырки решетки. Захват свободного носителя заряда таким центром локализации приводит к изменению характера связи между адсорбированной частицей и решеткой адсорбента. В связи с этим было указано на наличие цвух форм хемосорбции, соответствующих двум типам связи. [7]
В ряде работ [5-7] Ф. Ф. Волькенштейна было показано, что такой структурный дефект оказывается центром локализации для свободного электрона или свободной дырки решетки. Захват свободного носителя заряда таким центром локализации приводит к изменению характера связи между адсорбированной частицей и решеткой адсорбента. В связи с этим было указано на наличие двух форм хемосорбции, соответствующих двум типам связи. [8]
В ряде расчетных работ [8-10] было показано, что хемосорбированная частица, рассматриваемая как некий структурный дефект поверхности, оказывается центром локализации для свободного электрона решетки, служа для него ловушкой и выступая, таким образом, в роли акцептора. Или же ( это зависит от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора. [9]
В ряде расчетных работ [2, 3, 4] было показано, что хемосорбирован-ная частица, являясь неким структурным дефектом поверхности, оказывается тем самым центром локализации для свободного электрона решетки, служа для его ловушкой и выступая, таким образом, в роли акцептора для свободного электрона. Или же ( это зависит от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора. [10]
В ряде расчетных работ [2, 3, 4] было показано, что хемосорбиро ванная частица, являясь неким структурным дефектом поверхности, оказывается тем самым центром локализации для свободного электрона-решетки, служа для него ловушкой и выступая, таким образом, в роли: акцептора для свободного электрона. Или же ( это зависит от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора. [11]
Волькенштейн остановился на вопросе, является или не является идеальная кристаллическая решетка каталитически активной, и отметил, что с теоретической точки зрения идеальная поверхность полупроводника должна обладать некоторыми каталитическими свойствами, но в реальном случае, при наличии являющихся центрами локализации свободных валентностей структурных дефектов, поверхность будет значительно более активна ив адсорбционном, и в каталитическом отношении. Что касается эксперимента, то, по его мнению, он не может дать ответа на этот вопрос. [12]
Соответствующая изотерма заряжения поверхности кремния показана на рис. 5.16. В начальной стадии адсорбции при относительном давлении паров воды p / ps Ю-2 ( ps - давление насыщенного пара) заряд поверхности Qss растет вследствие образования на ней донорно-акцеп-торных комплексов ( типа / на рис. 5.16, б), являющихся центрами локализации дырок, т.е. проявляющих донорные свойства. [14]
К счастью, большая часть свободных радикалов, захваченных в монокристалле, может занимать лишь ограниченное число типов центров, определяемое, как правило, операциями симметрии кристалла-хозяина. Для данного радикала число типов центров локализации обычно связано с числом молекул в элементарной ячейке. Поэтому для успешного анализа спектра ЭПР ориентированных радикалов нужны детальные сведения о кристаллической структуре матрицы. Если магнитное поле направлено параллельно или перпендикулярно одной из кристаллографических осей, то некоторые или все типы радикальных центров могут стать эквивалентными. При этом спектр ЭПР существенно упрощается. [15]
Страницы: 1 2 3 4