Cтраница 4
Волькенштейн рассматривает разные формы адсорбции с различной природой связи ( более и менее прочной), имеющие ионный или кова-лентный характер, и различные формы поверхностных соединений - валентно-насыщенные, радикальные, ионно-радикальные. Между разными формами адсорбционной связи предполагается равновесие с их взаимопереходами. Последнее регулируется положением уровня Ферми, которое и определяет адсорбционную способность данного полупроводника, заряженность поверхности, реакционную способность адсорбированных частиц. Таким образом, химически адсорбированные частицы трактуются как центры локализации свободных электронов или дырок, являясь соответственно акцепторами или донорами, электронов. Заряжение адсорбированного слоя возникает при образовании прочных связей - акцепторных или донорных, которые могут быть как ионными, так и ковалентными. Более слабая адсорбционная связь возникает без участия свободных валентностей поверхности и без заряжения адсорбированного слоя. Согласно концепции Волькенштейна, с изменением уровня Ферми, доли частиц, находящихся в состоянии разных адсорбционных связей, соответственно изменяются. Например, повышение уровня Ферми может вести к уменьшению доли донорных связей и увеличению доли акцепторных связей; при этом доля слабых связей пройдет через максимум. При достаточно высоком положении уровня Ферми может практически полностью осуществляться акцепторная связь, а при достаточно низком положении - донорная связь. [46]
В этом уравнении проявляются все черты, характерные для решеточной модели. Объем, по которому должно производиться интегрирование в конфигурационном интеграле, заменяется числом центров локализации В. В соответствии с этим возникает конфигурационный множитель, показывающий число способов, которым может получиться данная система. Сумма по состояниям / ( Т) характеризует движение молекулы в окрестности центра локализации. Для вывода уравнения изотермы адсорбции конкретный вид / ( Т) неважен. В величину / ( Т) входит также потенциальная энергия взаимодействия молекулы с центром локализации. [47]
Книга состоит из пяти глав. Первые три касаются объемных дефектов в монокристаллическом кремнии, четвертая и пятая главы - дефектов в поверхностном слое кремния и в его оксидной пленке. В первой главе кратко рассматриваются наиболее распространенные современные методы восстановления и первоначальной очистки кремния, способы выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок и предельные параметры наиболее чистых монокристаллов. Во второй главе приводятся наиболее важные данные о локальных электронных состояниях ( центрах локализации), связанных с присутствием химических примесей. За этим следует анализ современного состояния сведений о природе, энергетическом спектре и устойчивости радиационных дефектов различных типов. [48]
Влияние фазового состояния на процессы радиолиза проявляется, по-видимому, как следствие изменения упаковки молекул и величины сил межмолекулярных взаимодействий. Окрашивание аморфных веществ при облучении и образование в них радикалов, соответствующих вступлению в реакцию полярных групп молекул, делает очень вероятным предположение о гетеролитическом характере процессов радиолиза в этих веществах. Очевидно, эффективность гетеролитичееких реакций будет определяться концентрацией и природой дефектов структуры, способных локализовать заряды и увеличивать в результате этого время жизни ионов, образующихся при радиолизе. Как уже отмечалось, облученные образцы СзН8Оз Н2О имеют другую окраску, чем безводный глицерин, что может служить указанием на изменение центра локализации заряда. При небольших количествах воды в смеси изменение природы дефектов и, возможно, их концентрации приводит к увеличению эффективности гетеролитичееких реакций и, как следствие этого, к большим выходам радикалов. Значительное уменьшение выхода при изменении состава смеси от 1: 3 до 1: 6 связано, по-видимому, с тем, что структура замороженного раствора становится подобной структуре чистой воды, в которой, как известно, заряды не стабилизируются. [49]
В этом уравнении проявляются все черты, характерные для решеточной модели. Объем, по которому должно производиться интегрирование в конфигурационном интеграле, заменяется числом центров локализации В. В соответствии с этим возникает конфигурационный множитель, показывающий число способов, которым может получиться данная система. Сумма по состояниям / ( Т) характеризует движение молекулы в окрестности центра локализации. Для вывода уравнения изотермы адсорбции конкретный вид / ( Т) неважен. В величину / ( Т) входит также потенциальная энергия взаимодействия молекулы с центром локализации. [50]