Центр - локализация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если сложить темное прошлое со светлым будущим, получится серое настоящее. Законы Мерфи (еще...)

Центр - локализация

Cтраница 2


В ряде работ [5-7] Ф. Ф. Волькенштейна было показано, что такой структурный дефект оказывается центром локализации для свободного электрона или свободной дырки решетки. Захват свободного носителя заряда таким центром локализации приводит к изменению характера связи между адсорбированной частицей и решеткой адсорбента. В связи с этим было указано на наличие цвух форм хемосорбции, соответствующих двум типам связи.  [16]

В ряде работ [5-7] Ф. Ф. Волькенштейна было показано, что такой структурный дефект оказывается центром локализации для свободного электрона или свободной дырки решетки. Захват свободного носителя заряда таким центром локализации приводит к изменению характера связи между адсорбированной частицей и решеткой адсорбента. В связи с этим было указано на наличие двух форм хемосорбции, соответствующих двум типам связи.  [17]

18 Кинетические кривые каталитического обессеривания нефтяной газойлевой фракции на различных катиоиообменных формах цеолита типа X при 390 С.| Зависимость каталитической активности катионообменных форм цеолита типа X от усредненного по валентности потенциала ионизации металла, связанного в виде катиона в цеолитной структуре. [18]

Многие авторы согласны с тем, что активные центры цеолитов содержат протоны. В докладе мы старались показать, что центры локализации протонов являются не случайными дефектами, а необходимыми элементами кристаллической решетки цеолитов после достижения определенной степени обмена натрия на двухвалентный катион.  [19]

Прочность различных связей в алифатических углеводородах, как правило, примерно одинакова. Кроме того, в алифатических углеводородах не имеется центров предпочтительной локализации положительного заряда. Поэтому под влиянием электронного удара происходит равновероятный разрыв различных связей, сопровождающийся большим количеством перегруппировок, что затрудняет расшифровку масс-спектров алифатйче-ских углеводородов. По этой причине в данной монографии отсутствует глава, посвященная фрагментации алифатических углеводородов. Ароматические, углеводороды и их производные, напротив, дают весьма характерные масс-спектры, так kak имеется Возможность, локализации: положительного заряда на ароматическом ядре. Кроме того, наличие ароматического ядра облегчает разрыв некоторых связей и протекание ряда пере-группировочных процессов. В подтверждение этого в данной главе приведены масс-спектры различных ароматических соединений.  [20]

При возрастании Т значение R сравнивается с расстояниями между центрами локализации ( в легиров.  [21]

22 Зависимости рК а производных цитозина от заместителей в экзоциклической аминогруппе100. [22]

Алкиль-ный заместитель может, во-первых, затруднить образование соль-ватной оболочки вокруг центров локализации положительного заряда в протонированной молекуле и, во-вторых понизить способность протонированной молекулы к образованию водородных связей с растворителем.  [23]

В ряде расчетных работ [2, 3, 4] было показано, что хемосорбирован-ная частица, являясь неким структурным дефектом поверхности, оказывается тем самым центром локализации для свободного электрона решетки, служа для его ловушкой и выступая, таким образом, в роли акцептора для свободного электрона. Или же ( это зависит от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора.  [24]

В ряде расчетных работ [2, 3, 4] было показано, что хемосорбиро ванная частица, являясь неким структурным дефектом поверхности, оказывается тем самым центром локализации для свободного электрона-решетки, служа для него ловушкой и выступая, таким образом, в роли: акцептора для свободного электрона. Или же ( это зависит от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора.  [25]

В ряде расчетных работ [8-10] было показано, что хемосорбированная частица, рассматриваемая как некий структурный дефект поверхности, оказывается центром локализации для свободного электрона решетки, служа для него ловушкой и выступая, таким образом, в роли акцептора. Или же ( это зависит от природы частицы) она может служить центром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора.  [26]

В этом уравнении проявляются все черты, характерные для решеточной модели. Объем, по которому должно производиться интегрирование в конфигурационном интеграле, заменяется числом центров локализации В. В соответствии с этим возникает конфигурационный множитель, показывающий число способов, которым может получиться данная система. Сумма по состояниям / ( Т) характеризует движение молекулы в окрестности центра локализации. Для вывода уравнения изотермы адсорбции конкретный вид / ( Т) неважен. В величину / ( Т) входит также потенциальная энергия взаимодействия молекулы с центром локализации.  [27]

28 Круги постоянной энергии взаимодействия. [28]

Взаимодействие с дислокациями растворенных атомов по механизму Коттрелла [79] также играет весьма важную роль в развитии ползучести, особенно вблизи нижней границы температур, ограничивающей диапазон высокотемпературной ползучести. Атомы замещения с атомным радиусом, отличным от радиуса замещаемого атома основы, вызывают образование центров локализации искажений в решетке. Такие центры искажений могут упруго взаимодействовать с полями гидростатических растягивающих напряжений вокруг краевых дислокаций.  [29]

Поля напряжений от растворенных элементов внедрения взаимодействуют как с краевыми, так и с винтовыми дислокациями. В общем случае концентрация элементов внедрения сравнительно невысока, так что дислокации могут выгибаться между центрами локализации высоких напряжений. В этом случае приложенное внешнее напряжение должно инициировать преодоление дислокациями пиков напряжений. Таким образом, легирование элементами внедрения вызывает более высокое упрочнение твердого раствора. При смешанном легировании каждый из указанных механизмов дает свой вклад в увеличение сопротивления высокотемпературной ползучести, поскольку они легко термически активируются.  [30]



Страницы:      1    2    3    4