Дырочный центр

Cтраница 3

Изменение амплитуды спектра ЭПР захваченных электронов в зависимости от количества адсорбированного кислорода. [31]

Адсорбируя N0, можно разделить не только электронные поверхностные и объемные центры, но и дырочные, что обусловлено, вероятно, малым потенциалом ионизации этой молекулы и увеличением вероятности перехода электрона с окиси азота на дырочный центр при адсорбции. [32]

Большая чувствительность к инфракрасному свету центров захвата, ответственных за первые пики ( - 158, - 146, - Ш4СС) термовысвечивания в ультрафиолетовой области и за вторые пики видимого и ультрафиолетового свечения кристаллов КС1, КВг и NaCl, позволяет предположить, что они обусловлены неглубокими электронными уровнями локализации, так как дырочные центры, как известно, в инфракрасной области не поглощают. [33]

Свойства центров захвата изучал ряд авторов ( см. § 2), в частности Браттэн и Бардин [54], которые показали, что для объяснения результатов исследования германия необходимо предположить наличие ловушек и для электронов и для дырок и что электронные центры захвата не могут находиться очень далеко от дна зоны проводимости, а дырочные центры - от верхнего края валентной зоны. [34]

Энергетические уровни и энергетические зоны. а изолированный атом. 6 кристаллическое твердое тело. [35]

Центр захвата может быть рассмотрен как такой дефектный центр, который может задерживать дырки или электроны на время много большее по сравнению со временем нахождения дырок и электронов в центре рекомбинации. Дырочные центры захвата, появляющиеся в германии п-типа в результате процесса формовки, использованы в точеч-ноконтактяых триодах. Центр захвата обладает свойством захватывать дырку и оставлять ее у себя на заметное время, в последующем либо освобождая ее, либо допуская ее рекомбинацию с электроном. В этом случае носители одного вида могут держаться в некоторой области заметное время и таким образом существенно влиять на плотность заряда в этой области. [36]

По данным оптического спектра поглощения облученного силикагеля уровень электронов в ловушках равен - 3 5 эв. Спектр ЭПР дырочных центров в силикагеле, аналогичный спектру в дымчатом кварце, наблюдается при относительно больших концентрациях примесных атомов алюминия. Однако известно, что при облучении силикагеля его поверхность сильно дегидратируется. Отсюда следует, что энергия излучения в значительной степени расходуется на дегидратацию, а не накапливается с увеличением концентрации захваченных электронов и дырок. В зонной схеме этот эффект отражен в виде поверхностных дырочных уровней, расположенных ближе к дну зоны проводимости, а увеличение вероятности захвата дырок - изгибом зоны. [37]

Относительно глубины дырочных ловушек в разных адсорбентах можно сказать следующее. Из спектра ЭПР дырочных центров в щелочных цеолитах типа А вытекает, что структура дырочных ловушек в них аналогична структуре ловушек в дымчатом кварце. NaA уровни дырочных ловушек находятся приблизительно на 8 эв ниже дна зоны проводимости. [38]

При окрашивании щелочно-галоидных кристаллов излучением высокой энергии электронные и дырочные центры возникают одновременно. Оптическое и термическое обесцвечивание кристалла происходит лишь вследствие одновременной аннигиляции электронных и дырочных центров. F-светом из фотохимически окращенного кристалла могут быть выведены F-центры. Остающиеся в таком кристалле У-центры не могут более обесцвечиваться никаким светом. [39]

К сожалению, в случае активированных щелочно-галоидных фосфоров образование подобных полос под действием рентгеновых лучей до сих пор мало изучено. Но и имеющиеся данные позволяют с достаточным основанием утверждать, что дырочные центры образуются в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ионами тяжелых металлов, точно так же, как и в чистых кристаллах. Но наличие примесей, имеющих характерные и сравнительно сильные полосы поглощения, часто перекрывающиеся с У-полосами, приводит к некоторому искажению картины и в отдельных случаях к смещению F-полос по сравнению с их положением в спектрах чистых кристаллов. [40]

Поэтому можно утверждать, что изменение ширины сигнала ЭПР, симбатное с константой А 0 для атомов щелочных металлов ( см. стр. Построенные молекулярные волновые функции а1 этих центров отличаются от подобных орбпталей дырочного центра в дымчатом кварце только тем, что в орбиталь цеолитного центра входят s - и р - орбитали катиона. [41]

Во-вторых, может протекать реакция О с положительным ионом, образовавшимся из молекулы олефина. Положительные ионы из молекулы олефина возникают двумя путями: либо при захвате молекулой олефина дырочного центра поверхности облученного силикагеля Cgl Oj - -: С2Н4 - О-О ( хемосорбция), либо при взаимодействии олефина с кислотным центром поверхности силикагеля. [42]

Определил природу избыточной каталитической активности, возникающей при ионизирующем облучении окисных катализаторов, и выяснил, какую роль играют в радиационном катализе кислородные дырочные центры. [43]

Ход зависимости интегральной светосуммы от концентрации церия показывает, что введение в стекло церия в концентрации даже 0.1 % снижает интенсивность полосы термовысвечивания более чем вдвое, что, по-видимому, вызвано уменьшением числа центров захвата. Существенное значение также может иметь уменьшение числа центров свечения, если считать, что эти центры энергетически и структурно отличаются от существующих в стекле электронных и дырочных центров захвата. [44]

ЭПР) относятся анион - и катион-радикалы, образованные захватом или потерей электрона диамагнитной молекулой, а также различные нейтральные и заряженные дефектные структуры в твердых телах, например дырочные центры в различных солях и окислах. Предполагается, что указанные структуры не содержат атомов переходных элементов. В дальнейшем будем употреблять термин радикал, имея в виду все перечисленные выше системы. [45]

Страницы: 1 2 3 4