Инерционность - транзистор
Cтраница 1
Инерционность транзистора при его включении согласно упрощенной диффузионной модели ( см. § 2 - 1) проявляется главным образом в том, что заряд неосновных носителей в базе Q6 увеличивается не мгновенно, а с определенной скоростью, зависящей от параметров транзистора и значения тока базы. [1]
Инерционность транзистора объясняется наличием барьерных емкостей эмиттерного С. [2]
 |
Генератор с самовозбуждением. [3] |
Инерционность транзисторов позволяет осуществить схему генератора по варианту рис. 7.4, а. [4]
Инерционность транзисторов способствует некоторому удлинению фронта и спада генерируемых импульсов, однако для современных - транзисторов их длительность не превышает десятков наносекунд. [5]
Инерционность транзистора, как будет показано в § 10.3, в некоторых случаях может оказывать влияние на длительность генерируемых импульсов. [6]
Инерционность транзистора связана с относительно большим временем продвижения неосновных носителей через его базу. [7]
Инерционность транзистора заставляет использовать при анализе более сложные эквивалентные схемы, которые учитывают это свойство. Схемы транзисторных автогенераторов получаются более сложными по сравнению с ламповыми: в них вводится специальная цепочка, компенсирующая дополнительный сдвиг фаз. [8]
Инерционностью транзисторов пренебречь, длительность импульсов синхронизации считать бесконечно малой. [9]
 |
Относительное изменение коэффициента передачи тока базы в зависимости от дозы нейтронов для низкочастотных и высокочастотных транзисторов. [10] |
Какие факторы определяют инерционность транзистора при его работе на высоких частотах. [11]
Величина т характеризует инерционность транзистора. [12]
Какие факторы определяют инерционность транзистора при его работе на высоких частотах. [13]
При работе в каскаде инерционность транзистора увеличивается за счет перезаряда емкости Ск через нагрузку. [14]
 |
Схема ключа на кращаются, но увеличивается время рас-гранзисторе, включенном по, л пс - ч. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5