Инерционность - транзистор
Cтраница 3
Длительность переходных процессов зависит от параметров транзистора в активном режиме и инерционности транзистора, обусловленной конечным временем пролета и рекомбинацией неосновных носителей при движении их через область базы от эмиттера к коллектору. Длительность переходных процессов, состоящая из времени включения вкл и времени выключения / выкл, характеризует быстродействие транзистора и определяет величину потерь при переключении. [31]
 |
Зависимость мощности на коллекторе от напряжения между коллектором и эмиттером для различных значений суммарного сопротивления нагрузки транзистора. [32] |
По рис. 5.13 можно сделать заключение, что рассмотренный способ компенсации температурной инерционности транзисторов не является единственным. [33]
В области высоких частот включение трансформатора приводит к тому, что кроме инерционности транзистора необходимо учитывать влияние индуктивности рассеяния трансформатора LB и емкости Со. [34]
Обычно в транзисторных блокинг-генераторах не удается получить длительность их меньше 1 мкс из-за инерционности транзисторов. [35]
В области верхних частот ов следует учитывать шунтирующее действие емкости нагрузки С и инерционность транзистора. [36]
Участок средних частот характерен тем, что можно не учитывать влияния емкостей, индуктивностей и инерционности транзистора. [37]
При быстрых изменениях тока нагрузки напряжение на выходе схемы восстанавливается не сразу в связи с инерционностью транзисторов. [38]
Следует остановиться еще на одном методе характеристики инерционных свойств транзистора Существует мнение о том, что инерционность транзистора при работе в насыщенном режиме удобно ( более удобно, чем временем рассасывания) характеризовать величиной накопленного заряда QH, не интересуясь, где, в каких областях транзистора он расположен. [39]
В транзисторных ключах, как уже отмечалось, переходные процессы обусловлены двумя факторами: паразитными емкостями и инерционностью транзистора. При применении высокочастотных дрейфовых транзисторов с граничной частотой fa порядка сотен мегагерц процессы, связанные с накоплением и рассасыванием носителей тока в базе, протекают очень быстро и длительности фронта и спада коллекторного тока очень малы. [40]
Быстродействие элемента, характеризующегося временными задержками включения и выключения здесь, как и в других схемах, определяется инерционностью транзисторов и перезарядом паразитных емкостей. [41]
В транзисторном каскаде при уменьшении сопротивления коллекторного резистора RK длительность фронта импульса уменьшается медленнее, чем усиление, и за счет инерционности транзистора не может быть сведена к нулю. [42]
Из сказанного ясно, что относительная роль обоих факторов - перезаряда емкости затвора и перезаряда емкостей между электродами - заключается в их влиянии на инерционность транзистора и во многом зависит от схемы. Поэтому точная оценка быстродействия возможна только в реальной схеме устройства с использованием динамической малосигнальной модели МДП-транзистора. [43]
Ток коллектора отстает от тока эмиттера, что не нарушает условий баланса фаз в транзисторной схеме, так как в реальной схеме это отставание получается из-за инерционности транзистора. В ламповой схеме ток анода совпадает по фазе с током катода, поэтому векторная диаграмма рис. 7.4, б в ламповой схеме, если частоты не очень высокие, не может быть реализована. [44]
 |
Временные диаграммы процессов в цепи из трех логических элементов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5