Инерционность - транзистор
Cтраница 2
Кроме параметров, характеризующих инерционность транзистора, для расчета ключевых схем часто используют и некоторые другие параметры. [16]
Фронт выходного напряжения ТТЛ-элемента вследствие инерционности транзисторов и конечной емкости нагрузки всегда конечен. Значения 4 и 4 имеют порядок десятков наносекунд. [17]
 |
Зарядоуправляемая модель транзистора для активной нормальной области. [18] |
В области отсечки предполагаем, что инерционность транзистора определяется перезарядом барьерных емкостей. Тогда схема замещения транзистора для области отсечки легко получается из схем на рис. 6.13 путем добавления этих емкостей. [19]
Таким образом, на задержку включения влияет только внешняя инерционность транзистора. [20]
Таким образом, быстродействие триггера прежде всего зависит от инерционности транзистора. С уменьшением среднего времени пролета Tj - л, емкости коллектора Ск и отношения т / Р наим максимальная частота опрокидывания триггера возрастает. Первые два параметра влияют на длительность фронта, отношение тн / РиНаим характеризует продолжительность времени рассасывания. [21]
 |
Двухтактные схемы ключевых генераторов с параллельным ( а и последовательным ( б контурами. [22] |
Частотный диапазон этого класса схем ограничен емкостью Cj и инерционностью транзистора. Они обусловливают появление фронтов конечной длительности в импульсах коллекторного тока и напряжения. [23]
 |
Полупроводниковые генераторы гармонич. колебаний с внутренней положительной обратной связью на точечных транзисторах и вольтампериые характеристики последних.| Двухтактный полупровод. [24] |
Это достигается тем, что сдвиг фаз, обусловленный инерционностью транзистора ( связанной с диффузионным характером движения носителей тока в базе), компенсируется частично в колебат. В такой схеме применяют плоскостные ( сплавные) и точечные транзисторы. [25]
Во время скачков напряжения в транзисторном бло-кинг-генераторе существенную роль играет инерционность транзистора, связанная с диффузией носителей. Известно, что скорость движения носителей в транзисторе намного меньше, чем в лампе, а это приводит к затягиванию процесса перехода блокинг-генератора из одного состояния в другое. [26]
 |
Эквивалентная схема каскада после открывания диода. [27] |
Как показывают проведенные расчеты, полный анализ процессов с учетом инерционности транзистора приводит к весьма сложным выражениям, использование которых малоэффективно. [28]
Надо иметь в виду, что за счет внутренних емкостей и инерционности транзистора напряжение на выходе эмиттерного повторителя не может нарастать мгновенно, даже если на входе действует идеальный скачок и емкостная нагрузка равна нулю. [29]
 |
Временные диаграммы переходных процессов в транзисторе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5