Инерционность - транзистор
Cтраница 4
Си эфф) - Учитывая указанную особенность рассматриваемой схемы, которая становится особенно заметной при использовании высокочастотных интегральных транзисторов, при анализе переходных процессов будем пренебрегать инерционностью транзистора, считая Рл / ( р) действительной величиной. Находим быстродействие схемы, рассчитывая продолжительность отдельных этапов переходного процесса в цепи, состоящей из трех последовательно включенных логических элементов. [46]
Следует, однако, иметь в виду, что при слишком высокой частоте увеличивается влияние паразитных конструктивных индуктивностеи и емкостей на работу устройства, уменьшается КПД полупроводниковых преобразователей за счет инерционности транзисторов и тиристоров и увеличиваются создаваемые ими помехи. [47]
Анализ искажений формы сигнала обычно удается разделить на две части, так как при прохождении фронта ( быстрое изменение напряжения) можно пренебречь большой емкостью разделительного конденсатора С, а при прохождении вершины ( медленное изменение напряжения) - малой емкостью Сн и инерционностью транзистора. [48]
В связи с тем что процессы формирования фронта и среза импульса аналогичны, их длительность примерно одинакова. Инерционность транзисторов способствует некоторому удлинению фронта и среза генерируемых импульсов, однако для современных транзисторов их длительность не превышает десятков наносекунд. [49]
При переключениях каскады на транзисторах 7 и Г2 ведут себя как каскады с общей базой. Инерционность транзисторов определяется постоянной времени Эа. Поскольку 9а сОл то быстродействие переключателя оказывается МНОГО выше, чем у каскада с общим эмиттером, например каскада, изображенного на рис. 3.87. Высокое быстродействие и работа при малых значениях управляющего напряжения являются основными достоинствами таких переключателей. Поэтому их широко используют в быстродействующих переключающих устройствах. [50]
 |
Форма сигналов на вхо - Ркс. Частотные характерно-де и выходе ОУ тики ОУ. [51] |
Инерционность транзисторов приводит к тому что форма импульсов искажается, импульсы ивы & имеют трапецеидальную, а при высокой частоте следования импульсов - треугольную форму. [52]
 |
Форма сигналов на вхо - [ IMAGE ] Частотные характерис-де и выходе ОУ тики ОУ. [53] |
Инерционность транзисторов приводит к тому что форма импульсов искажается, импульсы иЕЫк имеют трапецеидальную, а при высокой частоте следования импульсов - треугольную форму. [54]
В связи с тем что процессы формирования фронта и спада импульса аналогичны, их длительность примерно одинакова. Инерционность транзисторов способствует некоторому удлинению фронта и спада генерируемых импульсов, однако для современных транзисторов их длительность не превышает десятков наносекунд. [55]
Максимальная частота модуляции / м транзисторных модуляторов ограничивается их реактивными ( собственная емкость) и инерционными свойствами. Инерционность транзисторов определяется временем рассасывания носителей ( дырок), накапливающихся в слое базы за время, пока транзистор открыт. [56]
В ключевом режиме при соответствующем выборе параметров схемы удается избежать коммутативных потерь. Потери из-за инерционности транзистора проявляются при переходе из области насыщения в область отсечки, когда транзистор на интервале времени ta ( рис. 1.10, в) находится в активной области. Однако эти потери могут быть уменьшены при увеличении возбуждения. [57]
 |
Временные зависимо - в базе iK - , а не коллекторной на-сти. б ( т / Тт и ( т fT. [58] |
В момент т2 перехода транзистора из насыщения в отсечку ( рис. 14) ток коллектора ( заряд в базе) должен меняться скачком до нуля. Однако из-за инерционности транзистора заряд 7б ( т) меняется с некото-1 рым фронтом та. [59]
В течение стадии нарастания коллекторного тока транзистор находится в активном режиме. Время нарастания определяется инерционностью транзистора, природа которой рассматривалась в § 4.10, - это время пролета электронов через область базы и коллекторного перехода и время перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5