Инжекция - носитель
Cтраница 1
Инжекция носителей в базовую область [66] из высокоомного кремния приводит к увеличению проводимости. Это в свою очередь вызывает увеличение тока, протекающего через диод в пропускном направлении, в течение времени, необходимого носителям для прохождения базы до рекомбинации. [1]
Инжекция носителей из электродов в диэлектрик подчиняется более сложным закономерностям, обусловленным не только свойствами контакта металл - полимер, но и скоростью заполнения ловушек в диэлектрике. [2]
Инжекция носителей в коллектор приводит к уменьшению сопротивления тела коллектора. При высоких уровнях инжекции ( при больших значениях коллекторного тока) становится ощутимым падение напряжения в коллекторной области. Вытеснение инжекции к периферии эмиттера может привести к тому, что из-за падения напряжения в коллекторной области при больших токах коллектора прямое смещение перехода будет не по всей площади коллектора, а лишь в области, расположенной непосредственно под периферией эмиттера. [3]
Инжекция носителей из электродов в диэлектрик подчиняется более сложным закономерностям, обусловленным не только свойствами контакта металл - полимер, но и скоростью заполнения ловушек в диэлектрике. [4]
Инжекция носителей из соответствующим образом выбранного электрода - удобный и широко используемый метод создания концентрации подвижных носителей в органических соединениях ( см. гл. Исследование инжекционного процесса с временным разрешением, которое позволяет выявить микроскопические детали этого процесса, облегчается тем, что константа скорости рекомбинации инжектированного заряда с электродом может быть сделана произвольно малой при использовании в качестве инжектирующего электрода электролита. [5]
 |
Схема накачки полупроводникового лазера электронной бомбардировкой. [6] |
Метод инжекции носителей применяется в полупроводниковых лазерах ( например, GaAs) путем впрыскивания носителей тока через р-и-переход извне в зону проводимости. За счет инжекции электронов в зону проводимости, а дырок в верхний слой валентной зоны нарушается тепловое равновесие и создаются условия для инверсной населенности. [7]
 |
Структурная схема измерения подвижности носителей заряда.| Осциллограммы гока, напряжения и скорости нарастания напряжения на сопротивлении нагрузки. [8] |
Практически инжекцию носителей заряда осуществляют с помощью прямоугольных импульсов тока. [9]
В результате инжекции носителей через р-л-переход сопротивление участка / канала транзистора ( рис. 2.22, а) уменьшается. Напряжение на р-л-переходе увеличивается при меньшем напряжении, подведенном к выводам 0 - / транзистора ( рис. 2.22, а) Поэтому ток через р-л-переход возрастает при уменьшении ыг, и характеристика г, Ды) принимает вид, показанный на рис. 2.22, б В этих условиях ток, протекающий через канал, достигает больших значений и ограничивается только сопротивлением внешней цепи схемы. Однопереходный транзистор, благодаря падающему участку его входной характеристики, может служить для усиления сигналов, а также как переключатель, проводя большой ток при подаче прямого смещения на р-л-переход. [10]
В условиях сильной инжекции носителей заряда возможно одноврем. [11]
Необходимо блокировать инжекцию носителей с контактов. Неправильно изготовленный контакт вызывает падение напряжения, что уменьшает диапазон измеряемого напряжения. [12]
Необходимо блокировать инжекцию носителей с контактов. Неправильно изготовленный контакт вызывает падение напряжения, что уменьшает диапазон измеряемого напряжения. [13]
Наиболее легко и эффективно инжекция носителей осуществляется с помощью р - - перехода. Если обе стороны перехода сильно легированы, то приложение прямого смещения вызывает инжекцию электронов в р-область, а дырок - в - область. [14]
Такое поведение связано с инжекцией носителей в объем полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4