Инжекция - носитель
Cтраница 3
У подавляющего большинства транзисторов основным физическим процессом является инжекция носителей в эмиттерном переходе, но имеется группа транзисторов, работающих без инжекции. К ним, в частности, относятся полевые ( канальные) транзисторы ( см. гл. [31]
 |
Схема инжекционного полупроводникового лазера. [32] |
Полупроводниковые лазеры, в которых возбуждение осуществляется при инжекции носителей через р - n - переход, получили название инжекционных ПКТ Типичным представителем этой группы полупроводниковых квантовых генераторов является лазер на р - n - переходе в арсениде галлия. Верхняя его часть представляет собой полупроводник р-типа, нижняя - n - типа, между ними имеется р - - переход. Толщина р-п-перехода 0 1 мкм, излучающий слой имеет несколько большую величину, 1 - 2 мкм, вследствие проникновения электронов и дырок через р - / г-переход в глубь кристалла. [33]
 |
Движение электронов ( -. -. -. - и - дырок ( - - - - - - - - - - - в тиристоре, находящемся в закрытом состоянии при прямом включении ( ф - рекомбинация, О - генерация. [34] |
Через прибор будет протекать небольшой ток, обусловленный инжекцией носителей заряда крайними переходами и термогенерацией носителей заряда в базах и в обратно смещенном центральном переходе. [35]
 |
Структура ( э и вольт-амперная характеристика ( б диодного тиристора. [36] |
Происходит быстрое возрастание тока через тиристор, сопровождающееся сильной инжекцией носителей заряда обоими эмиттерами. Коллекторный р-л-переход входит в режим насыщения ( открывается), падение напряжения на тиристоре становится малым, близким к напряжению на открытом р-п-переходе, тиристор включается. Вольт-амперная характеристика тиристора ( рис. 47, б) имеет три участка: с большим сопротивлением 7, когда прибор закрыт; с отрицательным сопротивлением 2; с малым сопротивлением 3, когда прибор открыт и ток через него определяется практически внешней цепью. Переход из открытого состояния в закрытое происходит при снижении ( внешней цепью) тока через прибор до значения / выкл. [37]
В общем случае электрофизические параметры сильнолегированных областей различны и инжекция носителей в одну из этих областей является преобладающей. [38]
В общем случае электрофизические параметры сильнолегированных областей различны и инжекция носителей в одну из этих областей является преобладающей. Для определенности будем считать, что преобладает инжекция электронов в р - слой, что обычно реализуется на практике в р лп - диодах. [39]
В полупроводниках возможны следующие методы получения инверсии населенности: инжекция носителей через р - n - переход ( ин-жекционные ОКГ), электронное, оптическое возбуждения и воздействие сильного электрического поля. [40]
При смене рабочей полярности напряжения на эмиттерном переходе прекращается инжекция носителей зарядов, а вместе с ней и процесс воздействия управляющей цепи на цепь управления. [41]
 |
Схема релаксационного генератора на лавинных транзисторах.| Временные диаграммы напряжения коллектора и тока эмиттера. [42] |
Работа однопереходного транзистора основана на модуляции сопротивления полупроводника, вызванной инжекцией носителей р-п-перехода. [43]
Один из вольфрамовых зондов ( эмиттер Э) предназначен для инжекции носителей заряда в образец, другой ( коллектор / С) - для регистрации дрейфа неравновесных носителей заряда. К коллекторному зонду приложено напряжение от батареи Б в обратном направлении. Ток коллектора пропорционален концентрации неосновных носителей заряда. [44]
Метод измерения рекомбинационного излучения основан на том, что при инжекции носителей зарядов через р-п переход в п и р областях структуры возникает рекомбинационное излучение. [45]
Страницы: 1 2 3 4