Инжекция - носитель
Cтраница 4
Рассмотрим вывод выражения для идеализированной ВАХ диода при низком уровне инжекции носителей заряда, в котором граница раздела между р - и - областями представляет протяженную плоскость; линейные размеры ее много больше толщины ОПЗ. Будем считать, что концентрация доноров N о в - области и акцепторов N л в р-области постоянна, причем атомы примеси полностью ионизованы. [46]
 |
Материалы полупроводниковых лазеров. [47] |
Для создания инверсии в полупроводниках используют четыре типа возбуждения: инжекцию носителей заряда, электронную накачку, ударную ионизацию ( лавинный пробой) и оптическую накачку. Наибольшую эффективность имеют два первых типа накачки, которые и получили самое широкое распространение. [48]
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера.| Искажение сигнала при прохождении носителей заряда через базу транзистора. [49] |
Таким образом, наличие емкости эмиттера приводит к тому, что инжекция носителей в базу как бы замедляется и, если сигналы следуют один за другим через интервалы времени, сравнимые с этим замедлением, соответствующие пакеты инжектированных носителей заряда будут сливаться. [50]
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера.| Искажение сигнала при прохождении неосновных носителей заряда через базу. [51] |
Таким образом, наличие емкости эмиттера приводит к тому, что инжекция носителей в базу как бы замедляется, а если сигналы следуют один за другим через интервалы времени, сравнимые с этим замедлением, соответствующие пакеты инжектированных носителей заряда сливаются. [52]
Для измерения первичного фототока структура контактов должна быть блокирующей, т.е. инжекция носителей от контактов к фотопроводнику должна отсутствовать, пока генерированные в объеме фотоносители разделяются полем и движутся к контактам. [53]
При этом коллекторный переход смещается в прямом направлении, и происходит инжекция носителей заряда как в базовую, так и в коллекторную области транзисторной структуры. Для варианта / / /, характеризующегося разомкнутой цепью эмиттера, инжекция электронов из коллектора в базу вызывает снижение потенциального барьера между эмиттером и базой, что в свою очередь приводит к незначительной инжекции носителей из эмиттера в базу, увеличивающей время восстановления сопротивления. Вариант IV характеризуется самым большим временем восстановления обратного сопротивления, так как в этом случае оба перехода транзисторной структуры смещены в прямом направлении и происходит наибольшее накопление заряда. [54]
Если в первом случае шунтирование р-п-перехода сопротивлением приводит лишь к уменьшению инжекции носителей при малых токах, то во втором случае шунтирование р - n - перехода п - л-контактом приводит к уменьшению концентрации носителей заряда при малых токах. Это улучшает параметры S-характеристики: уменьшает ток в выключенном состоянии и увеличивает величину участка с отрицательным сопротивлением. [55]
Эта схема отображает следующие физические явления, протекающие в транзисторе: инжекцию носителей эмиттером и коллектором в область базы при открытых р - - переходах; накопление неосновных носителей заряда в области базы; их перенос от эмиттера к коллек -, тору и от коллектора к эмиттеру. [56]
Предположения о дрейфе носителей зарядов подтверждает низкая стабильность электретов, полученных инжекцией носителей, если их хранят закороченными, и повышение стабильности в - 100 раз, если электрет не закорачивают при хранении. Существенным фактором в ускорении разряда электретов при закорачивании является повышенная электропроводность поверхностного слоя полимерного диэлектрика, в который инжектированы носители. [57]
Принцип действия модуляционного транзистора основан на модуляции проводимости высокоомной базовой области инжекцией носителей из включенного в пропускном направлении р - n - перехода. Между р - - переходом и высокоомной базовой областью расположена узкая область того же типа проводимости, что и база, но с высокой проводимостью. К этой области подсоединен третий вывод, который обычно подсоединяется к выводу от р - n - перехода через резистор требуемого номинала. Модуляционный транзистор во многих применениях используется как двухэлектродный прибор. В этом случае он аналогичен S-диоду с регулируемой утечкой р - - перехода. Роль регулируемой утечки играет сопротивление между контактами к р-и-переходу и к сильнолегированной области под ним. [58]
Страницы: 1 2 3 4