Инжекция - носитель
Cтраница 2
В работе показано, что инжекция носителей в сильнолегированные области р / ш - диода приводит к изменению вольт-амперной характеристики в том случае, если потоки носителей противоположного знака через р - / г-или - переходы сравнимы между собой. [16]
В работе показано, что инжекция носителей в сильнолегированные области р лп - диода приводит к изменению вольт-амперной характеристики в том случае, если потоки носителей противоположного знака через р - n - или / ш - переходы сравнимы между собой. [17]
Лазеры, работающие на принципе инжекции носителей в р-п переходе, созданы не только на GaAs, но и на других полупроводниках. [18]
В диодах и транзисторах явление инжекции носителей из области одного типа в другую играет в работе прибора значительную роль. [19]
В чем заключается смысл понятия инжекции носителей заряда. [20]
Это свидетельствует о том, что инжекция носителей в сильнолегированные области действительно имеет место. Этот эффект приводит к снижению величины прямого падения у диодов с тонкой базой и повышению у диодов с толстой базой. [21]
Ганн и Хогарт [119] использовали эффект инжекции носителей. На рис. 4.15, а показано устройство модулятора, в котором тонкая пластинка из германия пересекает под углом полость прямоугольного волновода. [23]
Определим вольт-амперную характеристику для простого случая инжекции носителей одного знака, например электронов, при отсутствии ловушек и собственных носителей заряда в базе. [24]
Питание транзисторов можно осуществлять не только инжекцией носителей из р - n - перехода, но и генерацией их световым излучением, что расширяет функциональные возможности интегральных схем. [25]
Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, а соответствующий электронно-дырочный переход - эмиттерным. [26]
Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, соответствующий р-п-пе-реход - эмиттерным. [28]
 |
Качественный вид вольт-амперной ха-ракт ристики l ( V и вольт-фарадной характеристики C ( Va для барьера Шоттки. [29] |
В р-п переходе существенную роль играет явление инжекции носителей заряда в область иного типа проводимости. Явлению инжекции сопутствует явление рекомбинации. В переходе на контакте металл - полупроводник явления рекомбинации отсутствуют, так как проводимость контакта связана с движением только электронов. Это объясняет значительно меньшие шумы диода с барьером Шоттки по сравнению с диодом на р-п переходе. [30]
Страницы: 1 2 3 4