Инжекция - неосновной носитель
Cтраница 1
Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещения на р - п-переход, гетеропереход или контакт металл - полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией; она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. [1]
Инжекция неосновных носителей в р - п-переходе, включенном в прямом направлении, может привести к высокой эффективности преобразования электронов и дырок в фотоны в полупроводнике даже в отсутствие лазерного эффекта. Процесс спонтанной эмиссии может происходить в полупроводниках как с прямыми, так и с непрямыми переходами посредством одного из механизмов излучательной рекомбинации, описанных в гл. Хотя внутренняя квантовая эффективность может быть близка к единице, внешняя эффективность в общем значительно меньше, поскольку из-за высокого показателя преломления ббльшая часть света испытывает на поверхности полное внутреннее отражение, после чего он поглощается. [2]
Инжекция неосновных носителей тока уменьшает сопротивление нитевидного образца между эмиттером и коллектором и тем самым вызывает рост тока коллектора. Схема питания нитевидного транзистора также показана на фиг. Пусть Fc - напряжение на коллекторе, a Ve - потенциал некоторой точки нитевидного образца, расположенной вблизи эмиттера, причем оба потенциала отсчитываются по отношению к потенциалу базы. Допустим далее, что потенциал Vc настолько велик, что все дырки переносятся полем к коллектору и не диффундируют в заметном количестве к базовому контакту ( см. гл. [3]
В результате инжекции неосновных носителей, особенно при б 5 1, изменение этого заряда за счет приращения прямого напряжения может быть весьма значительным. [4]
Изучение процессов инжекции неосновных носителей и емкости р - - перехода, помимо большого практического интереса, важно и с точки зрения изучения структуры р - - перехода и механизма выпрямления переменного тока. [5]
Предполагается, что инжекция неосновных носителей тока коротким импульсом происходит в начальный момент времени. Если исследуется образец германия при комнатной температуре, то импульс, получаемый на коллекторе за счет неосновных носителей, имеет вид пунктирной кривой на фиг. Здесь имеет место размытие и уменьшение импульса со временем и с расстоянием от эмиттера. В дырочном кремнии при комнатной температуре, а также в электронном германии при температуре - 80 С и ниже форма импульса оказывается иной-она представлена сплошной линией на фиг. [6]
Будут обоснованы процессы инжекции неосновных носителей в область базы и их перенос через базовую область. Эти процессы играют важную роль в работе транзистора. Термины основные и неосновные носители имеют смысл только тогда, когда указана область, к которой этот термин относится. [7]
Как было отмечено, инжекция неосновных носителей играет важную роль в механизме проводимости. Основным процессом переноса носителей заряда является диффузия. [8]
Действие светодиодов основано на инжекции неосновных носителей р-л-переходом и последующей излучательной рекомбинации избыточных электронов и дырок в р - и n - областях, поэтому их рабочее смещение - прямое. Аналогично ведут себя дырки, инжектируемые в n - область. Выделяемая при этом энергия излучается в виде света или передается кристаллической решетке. [9]
После отпирания р-я-перехода начинается инжекция неосновных носителей в толщу стержня. Неосновные носители под действием электрического поля в стержне движутся к первой базе и уменьшают сопротивление участка между p - n - переходом и первой базой. Напряжение, получаемое в рассматриваемом сечении за счет деления напряжения питания Е, уменьшается. Это приводит к дальнейшему отпиранию p - ft - перехода, усилению диффузии и уменьшению сопротивления нижней части стержня. [10]
Пробой перехода не сопровождается инжекцией неосновных носителей, а значит, их накоплением и рассасыванием. Поэтому для лавинных транзисторов характерно весьма высокое быстродействие. Время переключения из режима малых токов в режим больших токов и обратно ограничивается в основном перезарядом барьерной емкости перехода. [11]
Каждая из этих составляющих вызывает инжекцию неосновных носителей. [12]
После отпирания yo-n - перехода начинается инжекция неосновных носителей в толщу стержня. Неосновные носители под действием электрического поля в стержне движутся к первой базе и уменьшают сопротивление участка между / 7-п-переходом и первой базой. Напряжение, получаемое в рассматриваемом сечении за счет деления напряжения питания Е, уменьшается. Это приводит к дальнейшему отпиранию p - n - перехода, усилению диффузии и уменьшению сопротивления нижней части стержня. [13]
 |
Семейство вольтампер-ных характеристик полевого транзистора. [14] |
Отличительной особенностью полевого транзистора является отсутствие инжекции неосновных носителей через р-п переход. В переносе тока в полевых транзисторах участвуют основные носители для данного полупроводника. Поэтому полевые транзисторы называют еще униполярными. [15]
Страницы: 1 2 3 4