Инжекция - неосновной носитель
Cтраница 2
Возбуждение полупроводникового кристалла осуществляется за счет инжекции неосновных носителей через р-п переход под воздействием прямого напряжения, источник которого подключается к переходу. [16]
 |
Структуры полевых транзисторов ( а, б, в и их схема включения ( г, д, е. [17] |
Отличительной особенностью полевого транзистора является отсутствие инжекции неосновных носителей через р-тг-переход, что имеет место в обычных транзисторах. В переносе тока в полевых транзисторах участвуют основные носители для данного полупроводника. Поэтому полевые транзисторы называют еще униполярными. [18]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового стабилитрона в области пробоя. [19] |
Поскольку пробойный режим не свя-ан с инжекцией неосновных носителей, 1 полупроводниковом стабилитроне от-утствуют инерционные явления ( накоп - 1ение и рассасывание носителей) при пе-еходе из области пробоя в область апирания и обратно. [20]
 |
Статическая характеристика туннельного диода. [21] |
Поскольку пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей, в полупроводниковом стабилитроне отсутствуют инерционные явления ( накопление и рассасывание носителей) при переходе из области пробоя в область запирания и обратно. Эта особенность делает возможным применение полупроводниковых стабилитронов не только в стабилизаторах напряжения, но и в импульсных схемах. К числу таких схем относятся ограничители и фиксаторы уровня. [22]
Результирующий приток дырок 1р может создаваться инжекцией неосновных носителей тока из металла или электролита, находящихся в контакте с поверхностью. V - число электронно-дырочных пар, ежесекундно создаваемых светом на единице площади. [23]
Таким образом, рассмотренный гетеропереход отличается отсутствием инжекции неосновных носителей. [24]
Напряжение на р - / г-переходе вызывает инжекцию неосновных носителей в базу, а напряжение на базе создает электрическое иоле в ней и, следовательно, Ж проводимости, подчиняющийся закону Ома. [25]
Принцип действия усилительного элемента-транзистора основан на использовании явления инжекции неосновных носителей из одной области транзистора в другую. [26]
Особенностью работы пп гетероперехода является практически полное отсутствие инжекции неосновных носителей при прямом смещении. Инжекция неосновных носителей определяется лишь дырками второго полупроводника, но их концентрация ничтожно мала по сравнению с основными носителями. Это дает возможность создавать на пп гетеропереходах переключающие диоды, у которых время переключения практически не лимитируется временем рассасывания неосновных носителей заряда. [27]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с толстой базой при разных напряжениях. [28] |
При прямых напряжениях избыточная концентрация положительна, что соответствует инжекции неосновных носителей в базу. [29]
Страницы: 1 2 3 4