Инжекция - неосновной носитель
Cтраница 3
В соответствии с общепринятой концепцией в ДШ следует избегать инжекции неосновных носителей, чтобы не увеличивать время обратного переключения. Поэтому должен использоваться кремниевый слой с относительно низким сопротивлением, иначе на этом слое возникает большое падение напряжения. Однако это неизбежно приводит к низкому напряжению пробоя, а также к большой емкости перехода, повышающей инерционность прибора. [31]
Эагот слой, имеющий повышенную концентрацию примесей, ослабляет инжекцию неосновных носителей. Полученный сплав представляет собой контакт двух полупроводников одного типа, но с различной концентрацией примесей. [32]
Как и в линии задержки, здесь создан переход для инжекции неосновных носителей. [33]
Как известно, при протекании прямого тока через переход происходит инжекция неосновных носителей. Добавочный обратный ток обусловлен неосновными носителями, инжектированными через переход, а не теми, которые созданы за счет тепловой генерации. Обратный ток достигает величины - Is только после того, как инжектированные носители прорекомбинируют или уйдут через переход. Очевидно, что чем больше прямой ток, тем дольше будет происходить процесс установления обратного тока. [34]
 |
Вольт-амперная характеристика германиевого точечного диода. [35] |
Действительная величина сопротивления растекания может быть несколько меньше вычисленной из-за инжекции неосновных носителей через переход в объем кристалла. [36]
 |
Зависимость емкости ступенчатого ( а и плавного ( б переходов от обратного напряжения. [37] |
Отсюда следует, что на высоких частотах должен уменьшаться коэффициент инжекции неосновных носителей ( стр. Точнее говоря, коэффициент инжекции в области высоких частот становится комплексной величиной. [38]
Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцией неосновных носителей через р-п-пере-ходы и рекомбинацией носителей как в объеме, так и на поверхности базовой области. [39]
Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцией неосновных носителей через р-л-пере-ходы и рекомбинацией носителей как в объеме, так и на поверхности базовой области. [40]
Например, при подаче внешнего отрицательного напряжения на п-область появляется возможность инжекции неосновных носителей в объем полупроводника. На этом важном свойстве р - п перехода - изменении концентрации носителей заряда - основана вся полупроводниковая электроника. Образование р - п перехода достигается обычно вплав-лением или диффузией в полупроводник п - или р-типа примеси другого вида с тем, чтобы в одной области полупроводника иметь избыток носителей одного знака, а в другой области избыток носителей заряда другого знака. [41]
На практике величина гг может быть меньше десятков ом за счет инжекции неосновных носителей через р-п переход. [42]
 |
Вольтамперная характеристика германиевого точечного диода. [43] |
Действительная величина сопротивления растекания может быть несколько меньше вычисленной за счет инжекции неосновных носителей через переход в объем кристалла. [44]
Как видно, принцип действия однопереходного транзистора хотя и связан с инжекцией неосновных носителей в базу, но существенно отличается от принципа действия обычного биполярного транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4