Инжекция - неосновной носитель
Cтраница 4
Как видно, принцип действия однопереходного транзистора хотя и связан с инжекцией неосновных носителей в базу, но существенно отличается от принципа действия обычного биполярного транзистора. Кроме того, в связи с относительно большим объемом базы однопереходные тразисторы значительно уступают обычным биполярным транзисторам по частотным свойствам. [46]
 |
Входная ( а и выходные ( б статические характеристики однопереходного транзистора. [47] |
Как видно, принцип действия однопереходного транзистора хотя и связан с инжекцией неосновных носителей в базу, но существенно отличается от принципа действия обычного биполярного транзистора. Кроме того, в связи с относительно большим объемом базы однопереходные транзисторы значительно уступают обычным биполярным транзисторам по частотным свойствам. [48]
 |
Контакт с обогащенным сломи и циэлокт-рическим зазором.| Контакт с инверсионным слоем ( с физическим р-п-пе-реходом.| Контакт с металлургическим р-п-пс-реходом. [49] |
Если через контакт с обогащенным слоем пропускать ток в прямом направлении, происходит инжекция неосновных носителей из контакта. Заряд инжектированных носителей нейтрализуется зарядом осн. При слабых токах область инжекции простирается, как и область экстракции, примерно на длину диффузии неосновных носителей. С ростом / эта область растягивается за счет дрейфа носителей в поле большого прямого тока, охватывая постепенно весь образец. [50]
 |
Энергетические диаграммы фотодиода Шоттки. [51] |
Характерной чертой диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-п переходе является отсутствие инжекции неосновных носителей. Диоды Шоттки, как говорят, работают на основных носителях, и в них отсутствуют относительно медленные процессы, связанные с накоплением и рассасыванием неосновных носителей в базе диода. Однако для фотодиодов Шоттки этот факт практически не имеет значения, так как они работают не при прямом напряжении. [52]
Эффективность преобразования электрической энергии в излучение определяется материалом полупроводника, коэффициентом полезного действия инжекции неосновных носителей, оптическими потерями в полупроводнике и другими факторами. [53]
Стабилитрон - это практически безынерционный прибор, так как пробой не связан с инжекцией неосновных носителей в базу стабилитрона. Поэтому стабилитроны кроме стабилизации напряжения могут быть использованы и как фиксаторы уровня напряжения и ограничители в импульсных схемах. [54]
Диффузионная емкость хотя и имеет сильную зависимость от напряжения, но связана с инжекцией неосновных носителей. [55]
Особенность этих переходов заключается в том, что при подаче на них внешнего напряжения инжекция неосновных носителей незначительна ( о влиянии инжекции неосновных носителей на характеристики полупроводниковых приборов см. § 1.10), поэтому они не обладают выпрямительными свойствами и используются при изготовлении омических контактов. [56]
В теории р - гс-переходов очень существен тот факт, что ток ( и инжекция неосновных носителей) при прямом смещении не возрастает резко до тех пор, пока напряжение, приложенное к переходу, не достигнет величины порядка внутреннего скачка напряжения VV Следовательно, р - - переход проявляет слабую инжекцию неосновных носителей и высокое сопротивление до тех пор, пока смещение на переходе не станет приблизительно равным I / O - Отсюда немедленно следует, что внешнее сопротивление, присоединенное параллельно эмиттерному переходу, шунтирует и переносит большую часть тока при низких напряжениях. [57]
Оно зависит от тока эмиттера постольку, поскольку удельное сопротивление материала базы изменяется при инжекции неосновных носителей. [58]
Страницы: 1 2 3 4