Двойная инжекция
Cтраница 1
Двойная инжекция наблюдается в симметричных или близких к ним структурах. При этом структура обладает вольт-амперной характеристикой N - или S-типа. На основе структур с ТОПЗ могут быть построены различные пленочные элементы, в том числе и активные, выполняющие U разные функции. [1]
Особенности двойной инжекции сказываются на участке 4 рассматриваемой1 характеристики. Повышение плотности тока на участке 3 приводит к тому, что электронное и дырочное облака пространственного заряда взаимопроникают друг в друга: электроны нейтрализуют дырочный объемный заряд у анода, а дырки, в свою очередь, нейтрализуют электронный объемный заряд у катода. Область неустойчивого тока между t / 2 и U3 характеризует наличие в диэлектрике инжектированной электронно-дырочной плазмы. [2]
 |
Вольт-амперные характеристики германиевого магнитодиода. [3] |
Ток двойной инжекции, который течет при прямом смещении в p - i - n - структуре, увеличивается при росте эффективного времени работы ( промежуток времени от входа электронов и дырок в / - область до их рекомбинации) для данного напряжения смещения. Когда прикладывается магнитное поле Н, пути инжектированных электронов и дырок отклоняются по направлению к зоне г. Они рекомбинируют здесь значительно быстрее, и среднее время жизни носителей заряда резко уменьшается. Когда воздействует магнитное поле / /, инжектированные носители заряда отклоняются от зоны л и средйее время жизни их становится больше, что вызовет уменьшение сопротивления, увеличение тока. [4]
 |
Вольт-амперная характеристика МДМ-структуры при наличии пространственного заряда.| Глубокие и мелкие ловушки в запрещенной зоне диэлектрика. [5] |
В случае двойной инжекции при малых ее уровнях ток подчиняется закону Ома. [6]
 |
Зависимость / от толщины пленки s для системы Jn-CdS - Аи в области 1 - U для тоех серий образцов. [7] |
Следовательно, токи двойной инжекции больше токов, обусловленных ишкекцией носителей одного знака при том же самом приложенном напряжении. Кроме того, в случае двойной инжекции будет иметь место рвкомбинаюция разных типов носителей через центры рекомбинации, расположенные в запрещенной зоне диэлектрика. [8]
Монография посвящена теории двойной инжекции в полупроводниках и диэлектриках, а также вопросам применения электронно-дырочной плазмы в твердотельной электронике. Показаны возможности создания эффективных электронных приборов на основе двойной инжекции в твердых телах, а также перспективы использования плазменных явлений в генераторах инжекционной электролюминесценции и других опто-электронных устройствах. Обобщается и излагается с единой точки зрения обширный экспериментальный и теоретический материал, содержащийся в многочисленных отечественных и зарубежных публикациях. [9]
В случае монополярной и особенно двойной инжекции может наблюдаться в сильных полях процесс шнурования тока - сосредоточения тока в одном или нескольких узких каналах. [10]
Последний было бы правильнее называть режимом двойной инжекции, так как насыщение ( тока), как увидим ниже, есть лишь результат такого режима в ключевых схемах. [11]
Установка УРХС-3, работающая по схеме двойной инжекции флюса, может быть сравнительно просто переоборудована в установку, работающую по схеме внешней подачи. Для этого необходимо инжекторно-регулирующее устройство флюсопитателя ФП-3 заменить циклонным устройством, а в качестве резака использовать любой серийный резак для обычной кислородной резки малоуглеродистой стали, оборудовав его оснасткой, описанной выше. [12]
При наличии в гетеропереходах полуизолирующих слоев может наблюдаться двойная инжекция. [13]
Они пропускали через кристалл стационарный ток, обусловленный двойной инжекцией, затем резко выключали этот ток и тут же, для того чтобы освободить изолятор от незахваченных в ловушки носителей, включали напряжение противоположной полярности. [15]
Страницы: 1 2 3 4