Двойная инжекция
Cтраница 2
 |
Схема ОЭ, иллюстрирующая работу транзистора в импульсном ( ключевом режиме. [16] |
K и и.п. б - Транзистор переходит р режим двойной инжекции, что объясняется следующим образом. С ростом тока коллектора сопротивление коллекторного перехода уменьшается. [17]
Существует четыре режима работы биполярных транзисторов: нормальный активный, двойной инжекции ( насыщения), отсечки и инверсный активный. [18]
Поэтому ниже мы обсудим сравнительно простой случай точного решения задачи двойной инжекции с захватом носителей на мелких ловушках без учета диффузионных процессов. Такой подход был предложен Бонхэмом, который применял точную теорию Парментера и Руппела [301] для безловушечного случая. [19]
 |
Схема ОЭ, иллюстрирующая работу транзистора в импульсном ( ключевом режиме. [20] |
При UK U6 коллекторный переход открывается и транзистор переходит в режим двойной инжекции. Такой максимальный ток коллектора называют током насыщения / к. Внешним проявлением режима насыщения в схеме ОЭ является неизменность тока коллектора при изменении тока базы. [21]
 |
Резаки для кислородно-флюсовой резки. [22] |
Непрерывная подача порошкообразного флюса в струю режущего кислорода в установке УРХС-3 осуществляется по схеме двойной инжекции флюса. [23]
 |
Базовый элемент микросхем ТТЛШ. а - принципиальная схема. б - передаточные характеристики. [24] |
Поскольку это напряжение меньше 0 5 В, то коллекторный переход практически заперт, а следовательно, не возникает режима насыщения и связанных с ним двойной инжекции и накопления избыточных зарядов. Благодаря этому при запирании транзистора исключается задержка, вызываемая рассасыванием избыточного заряда. [25]
В нормальном активном режиме эмиттерный переход включен в п р я м о м, а коллекторный - в обратном направлениях. В режиме двойной инжекции ( насыщения) эмиттерный и коллекторный переходы включены в п р я - м о м направлении. В режиме отсечки эмиттерный и коллекторный переходы включены в обратном направлении. В инверсном активном режиме коллекторный переход включен в прямом, а эмиттерный - в обрат-но м направлениях. [26]
Установка работает по схиме двойной инжекции флюса. Из бачка флюсопитателя ФП-3 железный поропгж подается в пнжекторно-регулирующее устройство к которому поступает кислород низкого давления ( до 0 5 ати), увлекающий порошок к резаку РКФ-3. Поступающий к головке резака кислород высокого давления ( 7 - 9 ати) инжектирует кислородно-флюсовую смесь и, смешиваясь с ней, образует режущую струю. [27]
Следовательно, токи двойной инжекции больше токов, обусловленных ишкекцией носителей одного знака при том же самом приложенном напряжении. Кроме того, в случае двойной инжекции будет иметь место рвкомбинаюция разных типов носителей через центры рекомбинации, расположенные в запрещенной зоне диэлектрика. [28]
Это иллюстрирует высокую пропускную способность при двойной инжекции носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4