Двойная инжекция

Cтраница 3

На рис. 3.23 представлено семейство выходных характеристик ОБ, построенных на основе математической модели Эберса - Молла. Активный режим используется в схемах усиления, режим двойной инжекции - в импульсных ключевых схемах, режим лавинного пробоя - в схемах на лавинных транзисторах, которые широкого распространения не получили ввиду недостаточной стабильности характеристик. [32]

Монография посвящена теории двойной инжекции в полупроводниках и диэлектриках, а также вопросам применения электронно-дырочной плазмы в твердотельной электронике. Показаны возможности создания эффективных электронных приборов на основе двойной инжекции в твердых телах, а также перспективы использования плазменных явлений в генераторах инжекционной электролюминесценции и других опто-электронных устройствах. Обобщается и излагается с единой точки зрения обширный экспериментальный и теоретический материал, содержащийся в многочисленных отечественных и зарубежных публикациях. [33]

Для более устойчивой работы резака пламя следует отрегулировать с небольшим избытком горючего газа. В случае резки на установках, работающих по схемам высокого давления или двойной инжекции флюса, пробивка отверстия производится с дополнительной добавкой малоуглеродистой проволоки диаметром 8 - 12 мм. После того как процесс горения металла установится по всей толщине, перемещение резака относительно разрезаемого металла должно быть равномерным. Чем равномернее передвижение резака, тем чище получается рез и тем большая скорость резки может применяться. Скорость перемещения резака должна быть такой, чтобы она согласовывалась с количеством подаваемого в разрез флюса и кислорода. При этом необходимо иметь в виду, что очень малый расход флюса приводит к увеличению отставания, а чаще всего к непрорезанию металла. Слишком большой расход флюса вызывает чрезмерный перегрев металла, значительно увеличивается ширина разреза, а кромка реза сильно зашлаковывается. Увеличение давления режущего кислорода позволяет повысить скорость резки; при этом, однако, ширина реза у нижней кромки значительно расширяется. Такая резка применяется только для некоторых заготовительных операций. Для качественной резки величина отставания должна быть не более 10 % от толщины разрезаемой стали. Во время резки резчик должен находиться в удобном положении, из которого можно регулировать и следить за скоростью движения резака, а также за расстоянием между мундштуком и разрезаемым листом. [34]

Семейства выходных характеристик полевых и МДП-транзисторов во многом аналогичны ( ср. При положительной полярности на затворе он будет инжектировать в область канала неосновные носители заряда и полевой транзистор будет работать как биполярный в режиме двойной инжекции. [35]

Расчет выполнен в предположении квазинейтральности и линейности малого уровня инжекции в р - и га-областях, высокого - в / - области, отсутствия прилипания, равномерного распределения примеси в нейтральных областях и ступенчатого в слое объемного заряда переходов. Анализ, естественно, различен в зависимости от того, описывается ли распределение носителей в / - области дрейфовой [1, 2] или диффузионной [3-7] теорией двойной инжекции. [36]

Такое поведение возможно объяснить, допустив, что либо имеет место ограничение тока пространственным зарядом при наличии ловушек, экспоненциально распределенных по энергиям, либо двойная инжекция ограничена пространственным зарядом. [37]

Это значение весьма близко к величине yeh ( 1 05 0 5) х х 10 - 6CM3c -, полученной в работе [44] при измерении неустановившихся токов при контролируемой объемом двойной инжекции носителей в кристалл. [38]

Известно, что структурные дефекты в неорганических полупроводниках действуют как центры рекомбинации. Подобным же образом пространственное распределение электролюминесценции является функцией не только подвижности носителей, но зависит также и от типа ловушек для носителей. Кинетика двойной инжекции и последующей рекомбинации обсуждается в гл. Ре-комбинационное излучение может происходить также и на поверхности раздела кристалл - электрод, однако подобные явления на органических кристаллах пока мало изучены. [39]

Пространственное распределение величины В, определенной в тексте, и концентрация захваченных носителей заряда п ( х, рассчитанная на основе формулы ( 2 при XQ 1500 А и и ( 0 4 5 1014 см-3, Данные получены на кристалле тетрацена толщиной 10 мкм с водным инжектирующим контактом при х 0. [40]

ТОПЗ носителей заряда обоих знаков. Однако присутствие обоих типов носителей вызывает их рекомбинацию, чего не наблюдается в случае монополярного ТОПЗ. Токи двойной инжекции характеризуются рядом новых особенностей как в отсутствие, так и при наличии освещения кристалла. В частности, значительно более сложными становятся уравнения и более разнообразными вольт-амперные и люкс-вольт-амперные характеристики, которые требуют дальнейшего изучения. Уже сами контакты создают ряд проблем, так как контакт, омический для носителей одного знака, обычно является блокирующим для носителей противоположного знака, что налагает дополнительные ограничения на движение носителей. Как показали Ламперт и Марк [230], рекомбинация носителей является основным фактором, ограничивающим ток системы, при двойной инжекции. В полупроводниках, которые имеют относительно большую концентрацию термически генерированных основных носителей, ток при данном напряжении ограничен только рекомбинацией. В диэлектриках, где концентрация собственных носителей невелика, существенными оказываются как рекомбинация носителей, так и объемный заряд. [41]

Пуассона [2.7.1.70] в применении к случаю монополярной инжекции. Поскольку п n ( U, x), инжектированный заряд обеспечивает наличие градиента напряженности поля; следовательно, исключается возможность обращения величины F в нуль на большей части кристалла, и это означает, что напряжение U, связанное с током J, не бесконечно мало. В случае двойной инжекции рекомбинация носителей заряда вызывает исчезновение плотности заряда, и это является причиной падения напряжения; дивергенция плотности тока не равна нулю, и, поскольку электронный / и дырочный Jp токи пропорциональны F, дивергенция поля также отлична от нуля. Таким образом, рекомбинация носителей заряда выполняет роль, аналогичную роли объемного заряда, - обеспечивает сохранение напряженности поля F и тем самым создает конечную разность потенциалов для поддержания тока. [42]

Это иллюстрирует рис, 2.7.27. Бонхэм показал, что нарушение закона подобия может быть связано с тем обстоятельством, что рекомбинационное излучение поглощается в зоне плазмы, расположенной в иной области кристалла по отношению к зоне, эмитирующей излучение. Подобное же мнение высказывается авторами работы [351], которые получили параметрическое представление вольт-амперных зависимостей. Изучение графика тока J j при двойной инжекции показывает, что зависимость IgJ от lg ( / является нелинейной. А это означает нарушение закона подобия. Аналогичный результат, полученный в работе Хелфриха и Шней-дера [154], показан на рис. 3.2.24. Расчетные данные рис. 2.7.29, приводимые без пояснений, иллюстрируют, насколько удачно указанный подход [351] согласуется с основными экспериментальными результатами, показанными на рис. 2.7.28, особенно в области нелинейности. [43]

С о н д а е в-с к и и В. П. О двойной инжекции в кремний, легированный золотом. [44]

Структура магниторезисторов типа СМ1 - 1. [45]

Страницы: 1 2 3 4