Двойная инжекция

Cтраница 4

Полупроводниковый магнитодиод, эскиз которого представлен на рис. 10.12, имеет структуру, подобную длинному p - i-л-диоду. Полоска имеет зону рекомбинации г. Две другие области р и имеют соответственно большую концентрацию акцепторов и доноров для получения эффективной двойной инжекции электронов и дырок в t - область. [46]

Горелки специальные разработаны ВНИИАвтогенма-шем для выполнения большого разнообразия работ по газопламенной обработке металлов. Например, ацетиле-но-кислородные горелки инжекторного типа ГАО-60, ГАО-2-72 предназначены для нагрева и пламенной очистки поверхности металла от окалины, ржавчины и старой краски. Газовоздушные горелки ГВП-ЗМ, работающие на пропан-бутане или природном газе, используются для пайки мягкими и твердыми припоями и нагрева деталей из черных и цветных металлов; эти горелки имеют двойную инжекцию, что обеспечивает устойчивое горение газовоздушной смеси с образованием пламени высокой тепловой интенсивности. Воздушно-пропановые нагревательные горелки ГВПН применяются для оплавления гидроизоляционных материалов, а также для низкотемпературного подогрева стыковых соединений при сварке в заводских и монтажных условиях. [47]

Зависимость намагниченности Jm от напряженности поля Я. [48]

Создание тонкопленочных приборов требует довольно высокого уровня технологии изготовления тонких диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев с контролируемыми свойствами. Однако возможности, открываемые тонкопленочной электроникой, могут окупить затраты на совершенствование технологии. Одним из наиболее привлекательных свойств тонкопленочных приборов является их быстродействие. Лишь при двойной инжекции в диэлектрик время установления тока определйется временем жизни носителей заряда. Во всех остальных структурах ток следует практически безынерционно за изменением напряженности в диэлектрической пленке. Поэтому постоянные времени тонкопленочных приборов могут быть сделаны достаточно малыми, чтобы они работали на весьма высоких частотах - в области СВЧ и даже на миллиметровых длинах волн. [49]

Хотя мы рассмотрели некоторые из наиболее характерных, наиболее общих механизмов, которые приводят к изменению коэффициента усиления по току а при изменении тока ( или других параметров), наши рассуждения не были исчерпывающими. Существуют два механизма, которые в настоящее время, пожалуй, не являются важными, но которые должны приобрести большее значение в будущем. Первый из этих механизмов позволяет менять коэффициент инжекции благодаря тому, что до некоторой величины весь ток переносится туннельными основными носителями, после чего наступает переход к обычному механизму инжекции неосновных носителей. Эмиттер с двойной инжекцией состоит из р - i - n - структуры, в которой при высоких плотностях тока удлинение времени жизни создает возможность переноса дырок через i -область и инжекции в я-область. Подобное поведение до некоторой степени напоминает поведение обычного р-п-перехода, в котором действуют глубоко лежащие ре-комбинационно-генерационные центры. [50]

При инжекции электронов и дырок в диэлектрик закономерности оказываются сложнее, чем при эмиссии в вакуум. Во-первых, в кристаллах носители заряда взаимодействуют с колебаниями кристаллической решетки, вследствие чего происходит их рассеяние, а также возможен переход в низкоподвижное по-лхронное состояние. Во-вторых, дефекты кристаллической структуры, как уже упоминалось, могут захватывать часть носителей заряда и приводить к их локализации в кристалле. И наконец, в отличие от вакуумного диода в кристалле возможны двойная инжекция и взаимокомпенсация отрицательного и положительного объемных зарядов, а также рекомбинация электронов и дырок. [51]

Еще один выбор связан с использованием имеющегося расположения выводов: некоторые ЦП могут использовать одни и те же выводы для разных целей, чтобы обеспечить большую гибкость в пределах ограничений, налагаемых корпусом с 40 выводами. Затем возникает вопрос о длине слова ( 4, 8 или 16 бит), об организации стеков и об удобстве системы команд. Каждый микропроцессор имеет свой собственный язык ассемблер, что является еще одним камнем преткновения для начинающего. Помимо обычной технологии n - МОП для изготовления некоторых микропроцессоров применяются другие типы технологии ( например, логические схемы с двойной инжекцией, ЭСЛ, р - МОП и КМОП), что позволяет оптимизировать быстродействие, плотность упаковки или вычислительную мощность. [52]

Резкое понижение электрического сопротивления диэлектрика на участке 4 ( область отрицательного сопротивления) иногда трактуется как электрический пробой. Такому представлению соответствует также повышение туннелирования в области контактов, поставляющих неравновесные носители заряда. Действительно, в диэлектрике в неустойчивой области не только проявляется ударная ионизация, повышающая концентрацию носителей заряда, но и наблюдается активизация фотопроцессов за счет интенсивной рекомбинации электронов и дырок. Однако в отличие от настоящего пробоя ( см. § 2.3), при котором рост тока неограничен и происходит разрушение кристалла, рост тока в электронно-дырочной плазме, образующейся за счет двойной инжекции, ограничен. Во-первых, росту тока препятствует рекомбинация электронов и дырок, которой способствуют определенные дефекты кристаллической решетки - центры рекомбинации. Во-вторых, рост тока в плазме все-таки ограничивается объемными зарядами, действие которых лишь частично нейтрализуется носителями заряда противоположного знака. [53]

Возникает также проблема подбора к диэлектрику подходящих контактов; электроды, которые являются омическими для электронов, обычно оказываются запирающими для дырок. Задача получения омических контактов к широкозонному диэлектрику, трудная даже для носителей одного типа, для двух типов носителей становится еще труднее. Действительно, мы не знаем никакого определенного доказательства двойной инжекции в тонких пленках широкозонных диэлектриков, рассматриваемых в этой главе. [54]

При этом около электрода в кристалле создается резервуар инжектированных носителей. Если на омический электрод, инжектирующий дырки, подать высокий отрицательный потенциал, то электроны смогут инжектироваться в резервуар дырок; в результате будет наблюдаться ЭЛ. Возможна также независимая инжекция носителей разного знака из противоположных электродов; в этом случае рекомбинация происходит в объеме кристалла. Синг летные эк-ситоны ( S) быстро дезактивируются, давая при этом так называемую быструю ЭЛ, в то время как триплетные экситоны могут аннигилировать с образованием таких же синглетных экситонов S d, но приводящих теперь к замедленной ЭЛ. Описанный процесс показан на рис. 3.2.22, а на рис. 3.2.23 схематически представлена ЭЛ кристаллов антрацена, снабженных инжектирующими натриевым и золотым электродами. Стационарную ЭЛ, вызванную двойной инжекцией носителей в органический кристалл, впервые наблюдали Хелфрих и Шнайдер на антрацене [43], однако при этом быстрая и замедленная компоненты ЭЛ не были разделены. [55]

ТОПЗ носителей заряда обоих знаков. Однако присутствие обоих типов носителей вызывает их рекомбинацию, чего не наблюдается в случае монополярного ТОПЗ. Токи двойной инжекции характеризуются рядом новых особенностей как в отсутствие, так и при наличии освещения кристалла. В частности, значительно более сложными становятся уравнения и более разнообразными вольт-амперные и люкс-вольт-амперные характеристики, которые требуют дальнейшего изучения. Уже сами контакты создают ряд проблем, так как контакт, омический для носителей одного знака, обычно является блокирующим для носителей противоположного знака, что налагает дополнительные ограничения на движение носителей. Как показали Ламперт и Марк [230], рекомбинация носителей является основным фактором, ограничивающим ток системы, при двойной инжекции. В полупроводниках, которые имеют относительно большую концентрацию термически генерированных основных носителей, ток при данном напряжении ограничен только рекомбинацией. В диэлектриках, где концентрация собственных носителей невелика, существенными оказываются как рекомбинация носителей, так и объемный заряд. [56]

Страницы: 1 2 3 4