Вплавление

Cтраница 2

Прибор с отчетливо видимым выплывом, вышедший из строя в процессе работы. [16]

Зато вплавление эмиттера по стадиям с приплавланием лепестка лишь во вторую стадию заманчиво с точки зрения обеспечения наилучшей геометрии и визуального контроля и требует специального исследования. [17]

После вплавления перехода для уменьшения его площади и получения заданного значения / р его подвергают электролитическому травлению. При достижении определенного значения / р травление прекращают. [18]

Рассмотрим вплавление трехвалентного металла индия в электронный германий. Монокристаллический германий разрезают на пластинки. Для очистки поверхности от загрязнений и удаления механических нарушений пластинки подвергают травлению. Дозированный в виде шариков или дисков индий также очищают путем травления. После промывки в дистиллированной воде и сушки германиевые пластинки и индиевые навески закладывают в графитовые кассеты ( рис. В. Кассеты помещают в печь и нагревают до температуры 500 - 600 С в атмосфере водорода, аргона или в вакууме. При такой температуре индий расплавляется и, смачивая поверхность германия, постепенно растворяет его ( рис. В. Во время выдержки ( около 10 мин) при высокой температуре устанавливается равновесная концентрация германия, растворенного в индии. При охлаждении растворимость германия в индии уменьшается. [19]

Режим вплавления зависит от назначения изготавливаемого прибора. [20]

Температура вплавления определяется глубиной рекристаллизации и толщиной напыленного слоя. [21]

Метод вплавления заключается в вплавлении акцепторной примеси в монокристалл полупроводника л-типа электропроводности или донорной примеси в монокристалл полупроводника р-типа. [22]

Методом вплавления или диффузии примесей одновременно с двух сторон пластинки кремния можно создать два р-п-перехода, включенные встречно. Так изготавливают стабилитроны с симметричными вольт-амперными характеристиками. Такие стабилитроны можно применять для защиты различных элементов электрических схем от перенапряжений обеих полярностей. [23]

Методом вплавления или диффузии примесей одновременно с двух сторон пластинки кремния можно сформировать два р-я-перехода, которые при подаче напряжения на крайние области структуры оказываются включенными встречно. Так изготавливают стабилитроны с симметричной вольт-амперной характеристикой - симметричные стабилитроны, которые могут стабилизировать напряжение разной полярности и применяются для защиты различных элементов электрических схем от перенапряжений обеих полярностей. [24]

Образование перехода вплавлением индия в германий.| Фронт вплавления индия в германий при быстром подъеме температуры. [25]

Температура вплавления выбирается из следующих противоречивых требований. Чтобы получить хороший угол смачиваемости, температура вплавления согласно рис. 6 - 9 должна быть около 700 - 800 С. [26]

Схематическое изображение транзистора.| Устройство сплавного транзистора. / эмиттер, 2 коллектор, 3 - база.| Упрощенная схема изготовления транзистора методом диффузии. [27]

Методом вплавления получают транзисторы на различные мощности, работающие как в режиме усиления, так и переключения. [28]

Температура вплавления выбирается в зависимости от глубины рекристаллизации и толщины напыляемого слоя. На рис. 11 показана зависимость отношения глубины вплавления х к толщине напыляемого слоя / от температуры. [29]

Разновидностью вплавления является пайка. Пайка производится специальными припоями на основе олова или индия. Часто используются различные флюсы. [30]

Страницы: 1 2 3 4