Вплавление
Cтраница 3
Режим вплавления подбирают таким образом, чтобы глубина сплавления алюминия с кремнием была меньше глубины диффузии. Глубина вплавления сплава серебра, свинца и сурьмы обычно не превышает 30 мкм. [31]
Перед вплавлением легирующий материал следует очистить. Прежде всего материал обезжиривают в органических растворителях для удаления загрязнений животного и растительного происхождения. Чистый индий или сплавы индия с галлием можно успешно травить в концентрированной азотной или соляной кислоте с последующей тщательной промывкой в деионизированной воде. [32]
Перед вплавлением монокристалл и легирующий материал должны быть очищены от всех поверхностных пленок. Соприкасающиеся поверхности должны быть плоско отшлифованы, отполированы и протравлены. [33]
 |
Кассета для вплавления контактов. [34] |
Перед вплавлением заготовки тщательно очищаются и обезжириваются в органических растворителях или отжигаются в водородной печи. [35]
 |
Диффузионный р-п-переход ( а и распределение примесей в полупроводнике после диффузии в него доноров ( 6. [36] |
При вплавлении в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, полупроводник с навеской вплавляемого материала нагревают до расплавления навески, в результате чего часть кристалла полупроводника растворяется в расплаве навески. [37]
При вплавлении в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, полупроводник с навеской вплавляемого материала нагревают до расплавления навески, в результате чего часть кристалла полупроводника растворяется в расплаве навески. При последующем охлаждении происходит рекристаллизация полупроводникового кристалла с примесью вплавляемого материала. [38]
При вплавлении в такой германий сплава индий-сурьма происходит одновременно диффузия сурьмы в германий и меди из германия в рекри-сталлизованный слой и индий. Характерной особенностью этой структуры является наличие слоя n - типа высокого сопротив - ления, поэтому такой транзистор приближается по своим свойствам к транзистору р-п-р-типа. Кроме того, поскольку диффузия меди из германия в рекристаллизованный слой полностью повторяет форму фронта рекристаллизации, то уменьшается возможность токового пробоя и обеспечивается получение достаточно высоких предельных частот транзистора. [39]
 |
Диффузионный р-п-переход ( а и распределение примесей в полупроводнике после диффузии в него доноров ( б. [40] |
При вплавлении в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, полупроводник с навеской вплавляемого материала нагревают до расплавления навески, в результате чего часть кристалла полупроводника растворяется в расплаве навески. [41]
При кассетном вплавлении перед помещением в печь исходная пластинка и навески электродного материала собираются в специальные кассеты, чаще всего из графита. Кассета обеспечивает соприкосновение и центровку деталей, а также препятствует растеканию расплавленного электродного материала. Чаще всего в той же кассете одновременно приплавляют кристалл к кри-сталлодержателю, создавая контакт с базовой областью. [42]
При вплавлении эмиттерного электрода акцепторная примесь, которая с большим трудом проникает в германий, но легко из него выходит, диффундирует во вплавляемый электрод. [43]
При бескассетном вплавлении пластинки полупроводника помещают на движущуюся ленту с отверстиями, через которые подаются и прижимаются навески электродного материала. В дальнейшем эти навески держатся на кристалле силами сцепления. Бескассетный способ удобен для изготовления приборов, навески которых столь малы, что не могут быть загружены в кассеты обычными способами. [44]
Непосредственно после вплавления эффект выпрямления на электронно-дырочных переходах прибора не наблюдается. При выдержке на воздухе характеристики приборов постепенно улучшаются. [45]
Страницы: 1 2 3 4