Время - жизнь - дырка
Cтраница 1
 |
Зависимости прямого напряжения диода и напряжения в открытом состоянии тиристора от плотности тока. [1] |
Время жизни дырок в - базе тр для низкочастотного диода рассчитывается из условия обеспечения по возможности меньших значений импульсного прямого напряжения. При больших плотностях прямого тока высокий уровень инжекции реализуется как в n - базе диода, так и в прилегающих к ней относительно слабо легированных участках диффузионных слоев. Эффективная толщина базы диода при этом увеличивается до значения Wsi-50 мкм. [2]
 |
Вольт-амперная характеристика при наличии ловушек в запрещенной зоне диэлектрика.| Вольт-амперная характеристика при двусторонней инжек-ции носителей заряда. [3] |
Время жизни дырок мало. При увеличении уровня инжекции все большее количество ловушек захватывает дырки и постепенно заполняется ими; время жизни дырок возрастает до тех пор, пока все ловушки не освободятся. С увеличением времени жизни дырок концентрация их увеличивается, проводимость возрастает, появляется область отрицательного сопротивления. [4]
Тр - время жизни дырок; - 10 - время дрейфа. [5]
Тр - время жизни дырок в - области, а тп - время жизни электронов проводимости в р-области. [6]
Физический смысл времени жизни дырок следующий. [7]
В диффузионном слое время жизни дырок снижается до 0 01 - 0 1 мкс. [8]
Примем, что время жизни дырок составляет - 100 мкс. [9]
Итак, увеличение времени жизни дырок ( и пар) при снижении уровня Ферми определяется на этом участке уменьшением заполнения ловушек электронами и соответствующим уменьшением вероятности захвата дырок. [10]
ТР, Тп - время жизни дырок в n - области и электронов в р-области. [11]
Тр - концентрация и время жизни дырок в освещаемой re - области с толщиной t, a пр, Dn и 1п - концентрация, коэфф. [12]
Тр и тп - время жизни дырок и электронов в области объемного заряда перехода, зависящее от природы и концентрации рекомбинационных центров. [13]
Значения концентраций собственных носителей и время жизни дырок подставляются в (13.18) при максимально допустимой температуре перехода. Толщина слоя объемного заряда р-п перехода рассчитывается по (13.5) при напряжении, равном повторяющемуся импульсному обратному напряжению. К расчетному значению Won прибавляется при этом примерно 30 - 40 мкм для учета области объемного заряда в диффузионном р-слое. Если расчетное значение Won при напряжении, равном повторяющемуся импульсному обратному напряжению, больше выбранной толщины га-базы Wn, то в (13.18) подставляется значение Wn, увеличенное на 30 - 40 мкм. [14]
Уравнение (4.170) позволяет легко определить время жизни дырок в базе диода. [15]
Страницы: 1 2 3 4