Время - жизнь - дырка
Cтраница 4
Это связано с тем что накопленный заряд и время жизни электронов в базе pz существенно меньше, чем накопленный заряд и время жизни дырок в базе пг. Однако напряжение пробоя перехода / з не превышает примерно 10 В. Поэтому восстановление обратного сопротивления перехода / з практически не приводит к ограничению обратного тока через тиристор. Обратный ток через тиристор продолжает возрастать до тех пор, пока концентрация дырок в базе П ] на границе с переходом / i в момент времени tz не упадет до нуля. В этот момент времени обратный ток через тиристор достигает максимального значения. После этого переход / i смещается в обратном направлении и его сопротивление быстро возрастает. [46]
КТП), такими, как площади и удельные сопротивления слоев, их толщины, распределения примесей доноров и акцепторов, времена жизни дырок и электронов, диффузионные длины их свободных пробегов. [47]
Если электронно-дырочная рекомбинация является единственным механизмом потери электронов проводимости, то Т / [ - Тс, где 7 /, - время жизни дырок в валентной зоне. Однако при наличии ловушек Th не обязательно равно Те, ибо сечение захвата для дырок может отличаться от сечения захвата для электронов. [48]
 |
Временные диаграммы. [49] |
Здесь и далее полагаем рп Рп ( х, О-Рпо - равновесная концентрация дырок; Dp, tp - коэффициент диффузии и время жизни дырок. [50]
Оцените относительные изменения значения выпрямленного тока на частотах 10, 20 и 50 кГц по сравнению с низкочастотным значением, если известно, что время жизни дырок в базе диода с р-п переходом равно 20 икс. [51]
Исследовать распределение концентрации неравновесных двфок, стационарно инжектируемых при х О в однородный полубесконечный полупроводник ( х 0) n - тина, если время жизни дырок тр а / р, где а - - постоянная. [52]
 |
Диаграммы тока п напряжения диода при прохождении импульса. [53] |
При больших плотностях тока уровень инжекции дырок в базе на границе ОПЗ может быть высоким: Fp ( 0) / / г 01 - Время жизни дырок зависит от уровня инжекции и в зависимости от типа ловушек и степени легирования базы может как увеличиваться, так и уменьшаться с ростом уровня инжекции. Теоретический анализ и экспериментальные исследования показывают, что выражением ( 1.162 а) можно пользоваться и при произвольных уровнях инжекции с приемлемой для практики точностью, если использовать в качестве тр значение, соответствующее максимальному уровню инжекции дырок в базе на границе ОПЗ. [54]
Все соображения, приведенные выше, относились к вычислению времени жизни tn электрона в с-зоне, однако очевидно, что они полностью применимы и при вычислении времени жизни дырки г - в v-зоне. [55]
На рис. 8.23 представлены расчетные зависимости отношения Q ( i) / Q ( 0) от скорости спада тока при 1т 300 А и нескольких значениях времени жизни дырок в базе HI. Видно, что отношение Q ( t) / Q ( 0) возрастает с ростом скорости спада тока, стремясь в пределе к 1, так как при больших скоростях избыточный заряд дырок в базе п практически не успевает рекомбинировать за время спада тока до нуля. [56]
Так как зарядовое состояние и степень заполнения примесных центров зависят от положения уровня Ферми, а следовательно, и от температуры, то эти факторы также существенно влияют на времена жизни дырок и электронов. [57]
Существенной особенностью диффузионной емкости является то, что заряды дырок и электронов, накапливаемые в n - базе в условиях квазиэлектронейтральности, пространственно не разделены, а присутствуют совместно в течение времени жизни дырок. Появление множителя 1 / 2 в выражении для Сдцф обусловлено тем фактом, что не весь накопленный в - базе заряд дырок может быть выведен из базы во внешнюю цепь, а только его половина. [58]
Бп ( t % - максимальное значение падения напряжения на базе п тиристора в момент окончания этапа лавинообразного роста анодного тока; Ту - постоянная времени установления стационарного состояния, примерно равная времени жизни дырок в базе п тиристора. [59]
Страницы: 1 2 3 4