Время - жизнь - дырка
Cтраница 2
В том случае, если время жизни дырок зависит от их концентрации, на вольт-амперной характеристике появляется участок отрицательного дифференциального сопротивления. Глубокие ловушки в диэлектрике заняты электронами. [16]
Чем уже база и больше время жизни дырок TJA, тем большая часть их достигает перехода HI и переносится во внешнюю цепь. Поскольку предполагалось, что ток ничем не ограничен, то величина заряда qt при этом бесконечно велика. [17]
При стационарном процессе время жизни неравновесных электронов равно времени жизни неравновесных дырок. [18]
Установлено, что диффузионная длина, коэффициент диффузии и время жизни неравновесных дырок связаны простым соотношением Lp Dp ърп. [19]
 |
Эквивалентная схема транзистора для определения характера входного сопротивления.| Векторные диаграммы токов и напряжений транзистора. [20] |
Как видно из соотношения (4.145), величина т3 равна времени жизни дырок Тр в базе транзистора. [21]
 |
ВоЛьт-амперная характеристика диода в обратном направлении при двух значениях температуры. [22] |
Толщина - базы, удельное сопротивление кремния в и-базе и время жизни дырок в ней, концентрации легирующих примесей и времена жизни неосновных носителей в р - к п - слоях всегда имеют определенный разброс по площади реальных р - п-п структур. [23]
В этом выражении трд ( С Л) - - время жизни неравновесных дырок при Оже-рекомбинации, которое резко уменьшается при увеличении степени легирования полупроводника. [24]
Длительность этапа рассасывания ( t2 - м) прямо пропорциональна времени жизни дырок в базе и зависит от соотношения прямого 1 и обратного / 2 токов через диод. [25]
Заметим, что (2.21) часто используется на практике для ориентировочного определения времени жизни дырок Тр при синусоидальной форме прямого тока через диод. [26]
Если tn - время жизни электронов в р-слое значительно меньше Тр - времени жизни дырок в исходном германии электронной проводимости, то плотность обратного тока через переход может значительно увеличиваться при любом повышении пр, а сопротивление коллекторного перехода будет понижаться. [27]
Так как в реальных структурах время жизни электронов в узкой р-базе значительно меньше времени жизни дырок в широкой n - базе, задача сводится к анализу процесса восстановления насыщенного р-п - р транзистора с широкой n - базой. [28]
Величины тэ и тд из последних равенств называются сокращенно временем жизни электронов и временем жизни дырок. [29]
Величины tlt t2 и tnp, как было показано выше, связаны с временем жизни дырок тр. Чтобы уменьшить инерционность процессов накопления заряда, обычно базу легируют примесями, уменьшающими время жизни дырок, например золотом. Диоды, изготовленные таким образом, имеют времена восстановления порядка нескольких наносекунд. Кроме того, для уменьшения времени установления необходимо базу диода делать возможно тоньше. [30]
Страницы: 1 2 3 4