Время - жизнь - дырка
Cтраница 3
Амплитуда сигнала, подаваемого на вход, мала настолько, что коэффициент диффузии Dv и время жизни дырок тр постоянны. [31]
Процесс выключения связан с рекомбинацией избыточных носителей, поэтому время выключения Выкл существенно зависит от времени жизни дырок и электронов в р-п-р-п структуре. [32]
Ток дырок, рекомби-нирующих в базе, пропорционален избыточному заряду дырок Qp и обратно пропорционален времени жизни дырок Тр, т.е. / ppeK Qp / Tp. [33]
Ре / Рь должно быть минимальным; базовая область должна быть возможно более тонкой, а время жизни дырок в области эмиттера - возможно большим. [34]
Если электронно-дырочная рекомбинация является единственным механизмом потери электронов проводимости, то Гд Те, где Тн - время жизни дырок в валентной зоне. Однако при наличии ловушек Th не обязательно равно Те, ибо сечение захвата для дырок может отличаться от сечения захвата для электронов. [35]
Интересно отметить, что согласно последней формуле величина определяется лишь радиусом точечного контакта и не зависит от времени жизни дырок. [36]
Из (2.21) и (2.24) следует, что суммарная длительность этапов сохранения и спада обратного тока примерно равна времени жизни дырок в п-базе диода. [37]
 |
Зависимости максимального значения обратного тока от амплитудного значения прямого тока.| Зависимости отношения / rr / / FM от частоты. [38] |
На рис. 2.17 представлены типичные зависимости отношения амплитудных значений обратного и прямого токов от частоты при различных значениях времени жизни дырок в n - базе. [39]
Амплитудное значение обратного тока Irr зависит от скорости спада прямого тока ( - diT / dt) и времени жизни дырок в базе п тиристора. Теоретически время восстановления обратного сопротивления перехода ] тиристора, как и время восстановления обратного сопротивления диода, составляет примерно 0 6 - 0 7 тр. [40]
Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем больше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы. [42]
 |
Расчетная и J200 Экспериментальная зависимости напряжения WOO. переключения от скоро - сти нарастания напряжения в закрытом состоянии ( точки - эксперимент. [43] |
Экспериментальные исследования были проведены на тиристорах, изготовленных на основе кремния с удельным сопротивлением около 45 Ом - см. Время жизни дырок в базе было равно примерно 8 - 10 мкс, а электронов в базе р2 - примерно 2 - 2 5 мкс. [44]
 |
Эпюры тока и напряжения при выключении тиристора с приложением обратного напряжения.| Распределение избыточных дырок в базе HI тиристора в процессе выключения с приложением обратного напряжения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4