Время - жизнь - носитель - заряд
Cтраница 1
Время жизни носителей заряда не является постоянным параметром полупроводника, так как оно зависит от концентрации неравновесных носителей заряда, температуры, концентрации примесей и дефектов решетки. [1]
 |
Пояснение температурной зависимости времени жизни. [2] |
Время жизни носителей заряда в значительной степени зависит от концентрации в полупроводнике рекомбинационных ловушек, так как рекомбинация чаще всего происходит с их помощью. Но кроме рекомбинационных ловушек в запрещенной зоне полупроводника обычно существуют энергетические уровни, которые могут захватывать носители только какого-либо одного типа. [3]
 |
Измерение времени включения оптоэлектронным корреляционным методом. [4] |
Время жизни носителей заряда сильно сокращается. Высокая концентрация дефектов достигается быстрым напылением на диэлектрические подложки или ионной имплантацией. При этом в слое в отличие от кристалла образуются многочисленные разрывы связей, которые называют свободными связями. Эти связи обеспечивают быстрый захват не локализованных носителей заряда, что исключает необходимость процесса рекомбинации. Следует, однако, иметь в виду, что аморфиза-ция снижает подвижность носителей заряда, в результате чего чувствительность приборов уменьшается. [5]
 |
Вольт-амперная характеристика диода в прямом направлении при двух значениях температуры. [6] |
Время жизни носителей заряда также зависит от температуры. В кремниевых структурах, когда преобладает рекомбинация электронов и дырок на рекомбинационных центрах, зависимость времени жизни носителей от температуры определяется природой этих центров. [7]
Время жизни носителей заряда в значительной степени зависит от концентрации в полупроводнике рекомбинационных ловушек, так как рекомбинация чаще всего происходит с их помощью. Но кроме рекомбинационных ловушек в запрещенной зоне полупроводника обычно существуют энергетические уровни, которые могут захватывать носители только какого-либо одного типа. [8]
Временем жизни носителя заряда называется время от его генерации до рекомбинации, которое во многом определяет длительность переходных процессов в некоторых полупроводниковых приборах. [9]
 |
Бестрансфорыаторный вариант схемы триггера на тетрод-ном тиристоре. [10] |
Временами жизни носителей заряда в базах тр и ти, причем для обеспечения наибольшего быстродействия значения тр и ти должны быть по возможности уменьшены. [11]
Что характеризует время жизни носителей заряда. Что характеризует сечение рекомбинации. [12]
Чем отличаются стационарные и нестационарные времена жизни носителей заряда. [13]
Для сохранения времени жизни носителей заряда применяется специальная термическая обработка в вакууме, высокотемпературная обработка с последующим медленным охлаждением и ге-терирование различными элементами ( никель, медь, серебро, висмут) и химическими соединениями ( Р2О5, В2О3), которые экстрагируют примесные атомы из объема, вследствие чего существенно улучшаются время жизни и характеристики переходов. [14]
 |
Схема прямой рекомбинации носителей заряда ( а и рекомбинации через акцепторный ( б и донорный ( в уровни.. [15] |
Страницы: 1 2 3 4