Время - жизнь - носитель - заряд
Cтраница 2
Таким образом, время жизни носителей заряда определяется двумя процессами - прямой рекомбинацией и рекомбинацией через ловушку. [16]
Данные о значении времени жизни носителей заряда, полученные по измерениям фотопроводимости и ФЭМ-эффекта, будут различаться, так как эти методики дают различным образом усредненные значения времен жизни основных и неосновных носителей заряда. [17]
 |
Характеристики процессов установления обратного тока ( а и падения прямого напряжения ( б у диода, обусловленные эффектом накопления неосновных носителей заряда в объеме полупроводника. [18] |
Гвос, равное времени жизни носителей заряда, его значение снижается до нормального, соответствующего приложенному обратному напряжению. [19]
 |
Схема включения фотодиода. [20] |
Инерционность сопротивления определяется временем жизни носителей заряда на всей диффузионной длине. Инерционность фотодиода определяется временем прохождения неосновных носителей заряда через тонкий слой дырочной области ( рис. 5 - 11), значительно меньший диффузионной длины. Поэтому инерционность фотодиодов значительно меньше и частотные характеристики значительно лучше. [21]
Следует отметить, что время жизни носителей заряда более всех других параметров полупроводникового материала чувствительно к наличию примесей и структурных дефектов в решетке кристалла. [22]
При высоком уровне инжекции время жизни носителей заряда в кремнии связано с концентрацией атомов золота Nt ( см-3) соотношением т ( ЛГ () 4 8 - 07 / Nt. Предельная концентрация электрически активных центров золота составляет в кремнии 1017 см-3. [23]
 |
Профили потенциального барьера Ф ( х, характеризующие его снижение под влиянием сил изображения при Ф, 1 0 эВ, т 0 llm0, e / e0 10и кон. [24] |
Следует отметить, что время жизни носителей заряда в металле равно не нулю, a / / vfA, где / - средняя длина их свободного пробега. [25]
 |
Зависимость коэффициента мя действия импульса. Типич-запирания А от тока / а при разных J. [26] |
С повышением температуры структуры времена жизни носителей заряда в базах возрастают, из-за этого увеличиваются ап и ар, а коэффициент К уменьшается. Это видно из рис. 5 - 8, где представлена зависимость / С / ( / а) для одного из образцов запираемых тиристоров, полученная при разных температурах. Из рисунка видно, что с ростом температуры падают и значение выключаемого тока, и коэффициент запирания. [27]
 |
Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда фазовым методом по фотолюминесценции. [28] |
Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда представлена на рис. 4.16. Образец О возбуждается лучом лазера Л с модулированной добротностью. Интенсивность падающего потока регулируется ослабителем ОИ. Излучение образца направляется на систему оптических фильтров Ф, которая пропускает краевую люминесценцию, и фокусируется на фотоэлектронный умножитель ФЭУ. С фотоумножителя напряжение подается на первый вход фазочувствительного вольтметра ФВ. Зеркало 3 [ служит для изменения направления хода светового луча. Фазочувствительный вольтметр измеряет разность фаз этих напряжений. Разность фаз между возбуждающим излучением лазера и опорным напряжением от фотодиода измеряется при прохождении рассеянного образцом излучения лазера по тому же оптическому пути, что и реком-бинационное излучение образца. По результатам этих измерений вычисляют сдвиг фаз между возбуждающим световым потоком и потоком фотолюминесценции. [29]
Измерения диффузионной длины и времени жизни носителей заряда, основанные на люминесценции, обязаны своим развитием использованию полупроводниковых соединений в светодиодах и лазерах. [30]
Страницы: 1 2 3 4