Время - жизнь - носитель - заряд
Cтраница 4
В чем состоит принцип метода модуляции проводимости при определении времени жизни носителей заряда. [46]
Улучшение временных параметров достигается снижением емкости перехода и сокращением времени жизни носителей зарядов. Этому требованию удовлетворяют диоды точечного типа. Конструктивная схема диода с точечным р-п переходом показана на рис. 3.9, а. Полупроводниковая пластина с п-электропроводностью вырезана из монокристалла. К пластине приварен заостренный конец алюминиевой, бронзовой или вольфрамовой проволоки с примесями индия или бериллия, обеспечивающих акцепторную примесь, которая проникает в полупроводник при сваривании. Диод называется точечным потому, что между мнкрообластью под острием проволоки, куда проникли акцепторы, и пластиной образовался р-п переход с линейными размерами, соизмеримыми с толщиной острия; такой переход обладает минимально возможной емкостью. Вследствие небольшой площади перехода ( 10 - 20 мкм2) мощность исчисляется несколькими десятками милливатт. [47]
Генерационно-рекомбинационный ( дробовой) шум определяется флуктуацией концентрации и времени жизни носителей заряда. [48]
 |
Структурная схема прибора СВП-ЗМ. [49] |
Прибор ИРПП-1 предназначен для бесконтактного измерения распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда по поверхности полупроводниковых пластин. [50]
Ток включения уменьшается с повышением температуры в связи с увеличением времени жизни носителей заряда и с увеличением коэффициентов передачи токов. [51]
 |
Методы измерения времени жизни и диффузионной длины носителей заряда. [52] |
Опубликован обзор [ Graff, Ficher, 1979 ] методов измерений времени жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах. [53]
Анализ рекомбинационных процессов показал, что с увеличением концентрации глубоких локальных центров время жизни носителей заряда уменьшается. В кристалле же всегда есть область, в которой концентрация локальных центров велика. Этой областью является поверхность кристалла. В реальных условиях, поскольку полупроводник контактирует с внешней средой, на его поверхности всегда присутствуют слои окисла и адсорбированные примеси. Поверхностные состояния бывают двух типов: быстрые и медленные. Быстрые состояния характерны временами захвата на них электронов и дырок порядка нескольких микросекунд, а для медленных состояний эти времена составляют обычно миллисекунды, а в ряде случаев они достигают даже нескольких часов. [54]
Поскольку, как правило, желательно минимальное значение величины Is, то время жизни носителей заряда в германии должно быть возможно выше, а удельное сопротивление - возможно меньше. Однако время жизни неосновных носителей заряда и удельное сопротивление не являются независимыми величинами. Присутствие атомов примесей в германии уменьшает удельное сопротивление, но одновременно увеличивает число ре-комбинационных центров. [55]
В настоящей работе для измерения скорости поверхностной рекомбинации, коэффициента диффузии и времени жизни носителей заряда используется метод движущегося светового луча. [56]
В том случае, когда концентрация электронов превышает это значение, существенное увеличение времени жизни носителей заряда приводит к появлению сверхлинейной зависимости JL от Г у элементов, обладающих низкими начальными значениями ijn. Бели же они велики, то изменение rjQ при вариациях облученности мало и сверхлинейность незначительна. [57]
 |
Временные зависимости напряжений на первом и втором эмиттерных переходах и тока через тиристор во время переключения тиристора из открытого в закрытое состояние. [58] |
Время выключения тиристоров увеличивается с повышением температуры, что также связано с ростом времени жизни носителей заряда, с замедлением процесса рекомбинации неравновесных носителей в базовых областях тиристора. [59]
Страницы: 1 2 3 4