Время - жизнь - носитель - заряд
Cтраница 3
В самых чистых монокристаллах германия время жизни носителей заряда лимитируется, по-видимому, не только дефектами структуры и дислокациями, но и остаточным содержанием примесей типа меди и никеля. [31]
Чем определяется влияние примесей на время жизни носителей заряда. [32]
Немаловажной характеристикой полупроводникового материала является время жизни носителей заряда в каждом полупроводниковом материале. Для ряда выпрямительных диодов эта величина должна быть как можно большей, а для импульсных диодов и некоторых высокочастотных транзисторов она должна быть минимальной. [33]
Структурная схема установки для измерения времени жизни носителей заряда методом модуляции проводимости в точечном контакте представлена на рис. 3.11. Прямоугольный импульс тока от генератора Г поступает на образец. Спустя некоторое время, регулируемое с помощью линии задержки ЛЗ, на образец от генератора Г2 подается второй импульс тока. Генератсры Л и Г2 совместно с ЛЗ образуют генератор спаренных импульсов. [34]
Как влияет положение уровня Ферми на время жизни носителей заряда. [35]
К достоинствам метода относятся простота вычисления времени жизни носителей заряда и слабая чувствительность к условиям на поверхности образца. Нижний предел времени жизни, который можно измерить, зависит от максимальной частоты модуляции, определяемой емкостью и последовательным сопротивлением структуры. [36]
Таким образом, время выключения определяется временем жизни носителей заряда в / t - базе и зависит от геометрии и электрофизических параметре структуры. [37]
 |
Зависимости коэффициентов диффузии D различных элементов от обратной температуры. [38] |
Указанное влияние степени легирования на подвижность и время жизни носителей заряда ограничивает пределы по концентрации легирующей примеси в активных светопоглощающих слоях солнечных элементов. [39]
Среднее время существования пары носителей заряда называется временем жизни носителей заряда. [40]
Наличие в полупроводнике центров рекомбинации позволяет резко уменьшить время жизни носителей зарядов, что необходимо для создания быстродействующих полупроводниковых приборов. [41]
Здесь е - диэлектрическая проницаемость; т - время жизни носителей заряда; а, - параметр данного кристалла; ип и ир-подвижности электронов н дырок. Очевидна необходимость изготовления весьма тонких образцов диэлектриков и полупроводников и соответственно совершенствования тонкопленочной технологии. Очень большое значение имеют также качество и характер инжектирующих контактов. [42]
При наличии прилипания, существенно влияющего на изменение времени жизни носителей заряда, в расчеты вводят коэфф. Приводим сущность нек-рых методов. [44]
Среднее время между моментами генерации и рекомбинации называется временем жизни носителя заряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4